[发明专利]光电设备

权利要求书

1.一种制造光电设备(100，300，500)的方法，所述方法包括以下步骤：

在包括电子部件(103)的集合的第一晶片(102)的第一表面上形成第一绝缘层(104，106)和导电轨道(105)的堆叠；

在第二晶片(122)上形成三维发光二极管(120)的集合，每个三维发光二极管包括第一端部和第二端部；

在所述第一晶片的第一表面的至少一部分上形成第一金属层(110)，并且在所述第二晶片的第一表面的至少一部分上形成第二金属层(142)，所述第二金属层电耦接到每个发光二极管(120)的所述第一端部；

将所述第一金属层和所述第二金属层(110，142)放置为接触，以通过分子键合将它们键合；

形成将所述第一晶片的第二表面连接到所述导电轨道(105)中的一个导电轨道的至少一个被绝缘的导电过孔(152，154)；以及

形成被绝缘的导电沟槽(160)，所述被绝缘的导电沟槽围绕发光二极管的每个集合并且与所述第一金属层和所述第二金属层(110，142)的另外的部分侧向绝缘，每个部分连接到发光二极管的所述集合中的一个集合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电轨道(105)中的一些导电轨道将所述第一晶片的电子部件互连，并且其中导电元件(108)在所述堆叠(104，106)中的第一绝缘层中延伸并且与所述第一金属层(110)接触。

3.根据权利要求2所述的方法，其中利用沟槽(160)围绕的所述第一金属层和第二金属层(110，142)的每个部分通过所述导电元件(108)中的一个导电元件连接到所述第一晶片。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述第一金属层和第二金属层(110，142)完全覆盖所述第一晶片和第二晶片(102，122)的第一表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，包括形成电连接所有所述发光二极管(120)的第二端部的电极(126)的步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述被绝缘的导电沟槽(160)从所述电极(126)延伸到所述导电轨道(105)中的一些导电轨道。

7.根据权利要求5的方法，其中所述被绝缘的导电沟槽(160)从所述第一晶片的第二表面延伸到所述电极(126)。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的方法，其中在形成覆盖所述电极(126)的光致发光层(130)之前，将所述第一金属层和第二金属层(110，142)放置为接触。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中每个沟槽(160)连接到所述被绝缘的导电过孔(154)中的一个被绝缘的导电过孔。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，包括形成覆盖所述发光二极管的第二电绝缘层(130)，所述第二绝缘层被导电壁(132)穿过。

11.一种光电设备(100，300，500)，包括：

第一芯片，所述第一芯片包括电子部件的集合和第一绝缘层(104，106)和导电轨道(105)的堆叠，所述第一芯片的第一表面至少部分覆盖有第一金属层(110)，至少一个被绝缘的导电过孔(154)将所述第一芯片的第二表面连接到所述导电轨道中的一个导电轨道；

第二芯片，所述第二芯片包括三维发光二极管(120)的集合，每个发光二极管具有第一端部和第二端部，所述第二芯片的第一表面至少部分地覆盖有第二金属层(142)，所述第二金属层电耦接到所有所述发光二极管的第一端部，所述第一金属层和第二金属层(110，142)通过分子键合彼此键合；以及

被绝缘的导电沟槽(160)，所述被绝缘的导电沟槽围绕发光二极管的每个集合并且与所述第一金属层和第二金属层的连接到发光二极管的每个集合的部分侧向绝缘。