[发明专利]用于控制包括废气的流体的流动的歧管在审
申请号: | 201980040233.5 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN112368815A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 崔益诚;郑在润;金德俊 | 申请(专利权)人: | 全球标准技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;张敬强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 包括 废气 流体 流动 歧管 | ||
本发明涉及一种MIMO系统,其包括歧管,所述歧管能够控制包括在半导体或显示器工序中产生的废气的流体的温度及流动,所述各个歧管可以包括一个供应管、一个旁通管、两个排出管,一个供应管,或包括0个旁通管、两个排出管。
技术领域
本发明涉及一种用于控制包括废气的流体的流动的歧管,具体地,涉及一种能够控制包括在包括半导体或显示器工序的工业工序中产生的废气的流体的温度及流动的歧管。
背景技术
利用化学物质的工序通过预先设置反应所需的条件并连接用于移送工序所需物质的管道来完成。虽然可以通过多种方法获得所需的物质,但也会一并形成不需要的副产物。粒子形态的副产物积累和固化于管道,严重时,会堵塞管道而引起工序被中断的问题。如同半导体或显示器生产工序产生大量二氧化硅(SiO2)等微细粒子的工序中,这种管道的堵塞对连续工序的运行成为较大的障碍。除此之外,在各种工业工序中粒子的产生引起的管道的堵塞是继续发生的根深蒂固的问题。
如上所述,当频繁发生管道的堵塞时,作为对连续性的工序的解决方案,使用一种设置多个供应管和多个排出管,并在所述多个供应管与所述多个排出管之间配置多个阀,从而在供应管或排出管发生堵塞时使用所述多个阀以使流体的流动迂回的方法。作为用于防止管道的堵塞的另一种解决方法,使用一种包括废气的流体的温度的方法。
图1是使用各构成要素示意性地图示用于供应包括废气的流体的MIMO(多入多出,Mulit Input Multi Output)系统中的以往的一实施例的图。图1的MIMO系统通过四个供应管110、120、130、140个别地供应包括废气的流体。所供应的流体通过第一个三通阀11、12、13、14被直接供应至第一流体处理器31或第二流体处理器32,或再连接至第二个三通阀15、16、17、18并供应至第二流体处理器32或第一流体处理器31。在第二个三通阀15、16、17、18设有旁通管116、126、138、148。在上述图1的系统中,根据需要,可以更改所述供应管、所述流体处理器的数量。
图1的MIMO系统的具体工作方法如下。仅向供应管110供应包括废气的流体。所述流体经由三通阀11被供应至第一流体处理器排出管112。所供应的流体由第一流体处理器31处理后被供应至后续工序。若第一流体处理器排出管112发生堵塞,则通过三通阀连接管114向第二个三通阀18供应所述流体。通过三通阀18,通过第二流体处理器排出管118向第二流体处理器32供应流体。若第二流体处理器排出管118也被堵塞,则中断通过供应管110供应流体,或旁通至旁通管116。之后,通过供应管120供应流体。之后,可以通过如上所述的相同的机制连续地供应流体,而不中断流体的供应。
这样的机制既可以使三通阀以11、18、12、17、13、16、14、15的顺序工作,也可以分别以11-18、12-17、13-16、14-15的顺序个别地运用。这可以根据所述MIMO系统的配置、流体的所需要的供应量等来变更。在图1中,也可以根据所述MIMO系统的配置、流体的需要的供应量等对流体处理器实施单数或复数的变更。
图1的以往的MIMO系统存在如下多种问题。由于使用多个阀,因而引发诸多空间问题、经济问题。①首先,由于有许多独立的阀,因而难以获悉各阀的故障。②此外,对应于独立的阀的数量的费用增加。例如,在半导体或显示器工序中使用的管道为具有较强的耐腐蚀性的价昂的管道,随着阀的数量增加,管道的费用也急剧上升。③由于独立的阀的数量增多,管道连接变得复杂,从而,不但占据过多的空间,而且在用于维护的作业中耗费较多的时间和努力。④随着管道变长并复杂化,难以进行管道的隔热,而且在流体移动的过程中损失热,从而造成管道内堵塞的可能性增加。
也存在三通阀本身的问题。⑤在以往的三通阀中,很难加热阀内部。为了防止阀内部的粒子的堵塞,应提升阀的温度,但是,在以往的三通阀中,只能使用加热带等来加热阀的外部,而设置能够直接加热内部的机构的空间不充足。尤其,由于较多阀的工序的特性使然,大部分阀由使用气动或电的驱动器控制,因而在阀周边附加加热带等加热机构本身更加困难。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球标准技术有限公司,未经全球标准技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980040233.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造