[发明专利]可切换人工磁导体、具有可切换人工磁导体的可重构径向波导及相关方法有效
申请号: | 201980040340.8 | 申请日: | 2019-06-14 |
公开(公告)号: | CN112313835B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 哈林姆·博泰亚伯 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q21/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 切换 人工 导体 具有 可重构 径向 波导 相关 方法 | ||
1.一种可切换人工磁导体(S-AMC)元件,包括:
导电层,具有至少两侧;
导电贴片,位于所述导电层的一侧上,并且与所述导电层电绝缘;
开路短截线,位于所述导电层的相对一侧上,并且与所述导电层电绝缘;以及
开关元件,被配置为响应于控制信号,选择性地断开或导通所述导电贴片和所述开路短截线之间的电连接,
当所述电连接导通时,所述导电贴片对定义频带内的射频(RF)信号呈现出高阻抗导磁表面,当所述电连接断开时,所述导电贴片对所述定义频带内的RF信号呈现出导电表面。
2.根据权利要求1所述的S-AMC元件,其中,所述开路短截线和所述导电贴片被配置为当所述电连接导通时,用作具有谐振频率落入所述定义频带内的谐振LC电路。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的S-AMC元件,其中,所述开关元件是可开关二极管和纳米机电开关(NEMS)之一。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的S-AMC元件,其中,所述S-AMC元件由多层结构形成,所述多层结构包括所述导电层,所述导电层作为中间层夹在第一介电基板层和第二介电基板层之间,所述导电贴片位于所述第一介电基板层上,所述开关元件和所述开路短截线位于所述第二介电基板层上,所述S-AMC元件包括从所述导电贴片通过所述第一介电基板层、所述导电层、以及所述第二介电基板层延伸到所述开关元件的导电元件。
5.多个根据权利要求1至4中任一项所述的S-AMC元件,包含在一平行板波导中,所述多个S-AMC元件被配置为,当处于第一状态时,对包括所述定义频带的目标频带内的RF信号呈现出导磁表面,当处于第二状态时,对所述目标频带内的所述RF信号呈现出导电表面,从而控制所述平行板波导内的所述RF信号的传播方向。
6.根据权利要求5所述的多个S-AMC元件,其中,所述平行板波导是中心具有RF馈点的径向波导,并且所述多个S-AMC元件布置在圆形阵列中。
7.根据权利要求5和6中任一项所述的多个S-AMC元件,其中,对于至少一些所述S-AMC元件,所述定义频带不同,并且所述多个S-AMC元件的所述目标频带大于单个S-AMC元件的所述定义频带。
8.一种波导,包括:
相对的第一板和第二板,所述第一板和第二板之间定义射频(RF)信号波导区域,所述第一板包括可切换人工磁导体(S-AMC)元件的阵列,每个S-AMC元件在第一状态和第二状态之间切换,在所述第一状态中,所述每个S-AMC元件的波导表面在定义频带内是导电的,在所述第二状态中,所述波导表面在所述定义频带内是导磁的;
射频(RF)探头,设置在所述波导区域中,用于生成和/或接收RF信号;以及
控制电路,耦合到所述S-AMC元件,以选择性地控制所述S-AMC元件的状态,以控制所述波导区域内的所述RF信号相对于所述RF探头的传播方向。
9.根据权利要求8所述的波导,其中,所述波导是径向波导,并且所述S-AMC元件的阵列是围绕所述RF探头的圆形阵列。
10.根据权利要求9所述的波导,其中,所述S-AMC元件布置在围绕所述RF探头的多个环中。
11.根据权利要求9所述的波导,其中,所述S-AMC元件布置在围绕所述RF探头的所述S-AMC元件的多个可独立控制的圆弧段组中。
12.根据权利要求11所述的波导,其中,每个所述圆弧段组内的所述S-AMC元件中的至少一些S-AMC元件具有与所述圆弧段组内的其他S-AMC元件不同的定义频带。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980040340.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生产元素硅的方法
- 下一篇:N-取代的四氢噻吩并吡啶衍生物及其用途