[发明专利]聚酰亚胺、层积体和包含它们的电子器件

说明书

提供一种柔性电子器件，其包含显示出优异的C‑V特性的聚酰亚胺膜。在对以0.75μm的膜厚形成于电阻值为4Ωcm的硅晶片上的层积体进行电容‑电压测定时，该聚酰亚胺膜是由显示出0.005/V以上的最大梯度的聚酰亚胺形成的膜(其中，上述最大梯度含义如下：使施加到上述聚酰亚胺膜的直流电压在最低电压V1与最高电压V2之间，对于上述硅晶片一边进行正向扫描和负向扫描一边进行电容测定，第3次正向扫描时的标准化电容‑电压曲线中的梯度的绝对值的最大值即为最大梯度，上述标准化电容‑电压曲线将最低电压V1下的电容设为1而进行了标准化。)。

技术领域

本发明涉及适合用于例如柔性器件的基板等电子器件用途的聚酰亚胺，还涉及聚酰亚胺膜、包含聚酰亚胺膜的层积体和包含上述聚酰亚胺或层积体的电子器件。

背景技术

以往，使用玻璃作为液晶显示器、有机EL显示器等显示器用基板，但玻璃存在下述问题：为了轻量化而进行薄膜化时，强度不足，容易损坏。因此，作为玻璃基板的替代，提出了轻量且柔性优异的塑料基板。在液晶显示器、有机EL显示器等显示器中，为了驱动各像素，在基板上形成TFT等半导体元件。因此，要求基板具有耐热性、尺寸稳定性。聚酰亚胺膜由于耐热性、耐化学药品性、机械强度、电学特性、尺寸稳定性等优异而被期待用作显示器用的基板。

关于形成在聚酰亚胺基板上的TFT元件，非专利文献1和2报道了下述内容：由于存在于聚酰亚胺基板界面的负电荷而引起正载流子，其对TFT特性产生影响。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Junehwan Kim等人、“High Performance Reliebility LTPSTechnology for Advanced Flexible Mobile Applications”,IDW/AD’16,1356-1359页(2016)

非专利文献2：Yi-Da Ho等人、“Abnormal V_th Degradation Behavior of thePolycrystalline Silicon Thin-Film Transistors on the Polyimide Substrate”,IDW’17,1508-1511页(2017)

发明内容

发明所要解决的课题

如上所述，在非专利文献1和2中报道了聚酰亚胺界面对于TFT特性的影响，但未具体实施负电荷可存在的界面能级密度的评价。另外，没有关于聚酰亚胺的详细情况的记载，而且也没有改变聚酰亚胺基板而对TFT特性进行评价的数据，因此适合用作基板的聚酰亚胺的信息也是未知的。

作为评价聚酰亚胺之类的绝缘膜的表面的能级密度的方法，可以举出测定电容-电压特性(以下记为C-V特性)的方法。通常，已知对半导体-绝缘膜-金属(电极)电容器的电容的电压依赖性进行评价而得到的C-V曲线由于存在于半导体-绝缘膜界面的能级密度的存在而使形状发生变化。因此，在对影响TFT特性等器件特性的C-V特性进行评价、开发出最适合作为包括显示器的半导体器件和电子器件用基板的聚酰亚胺膜时，以及为了进一步扩大聚酰亚胺的用途时，需要提供具有优异的C-V特性的聚酰亚胺。

本发明的目的在于提供一种显示出优异的C-V特性的聚酰亚胺(特别是膜形态的聚酰亚胺)、使用了该聚酰亚胺的层积基板、和包含它们的柔性显示器等电子器件。

用于解决课题的手段

本发明涉及以下事项。