[发明专利]介电薄膜、介电薄膜元件、压电致动器、压电传感器、磁头组件、磁头悬臂组件、硬盘驱动器、打印头和喷墨打印装置

权利要求书

1.一种包含金属氧化物的介电薄膜，其特征在于：

所述金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，

所述金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，

至少一部分的所述正方晶的(100)面在所述介电薄膜的表面的法线方向上取向。

2.如权利要求1所述的介电薄膜，其特征在于：

所述金属氧化物以下述化学式1表示，

(1－x)(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃－xBaTiO₃ (1)

所述化学式1中，x满足0.15≤x≤0.40。

3.如权利要求1或2所述的介电薄膜，其特征在于：

在对所述介电薄膜施加与所述介电薄膜的表面的法线方向平行的电场时，所述正方晶的(001)面的衍射X射线的峰面积不增加。

4.如权利要求1或2所述的介电薄膜，其特征在于：

在对所述介电薄膜施加与所述介电薄膜的表面的法线方向平行的电场时，所述正方晶的(001)面的衍射X射线的峰面积增加。

5.如权利要求1或2所述的介电薄膜，其特征在于：

在对所述介电薄膜施加与所述介电薄膜的表面的法线方向平行的电场的状态下，

一部分的所述正方晶的(100)面在所述介电薄膜的表面的法线方向上取向，

另一部分的所述正方晶的(001)面在所述介电薄膜的表面的法线方向上取向。

6.一种介电薄膜元件，其特征在于：

具有权利要求1～5中任一项所述的介电薄膜。

7.如权利要求6所述的介电薄膜元件，其特征在于，具有：

单晶基板；和

与所述单晶基板重叠的所述介电薄膜，

至少一部分的所述正方晶的(100)面在所述单晶基板的表面的法线方向上取向。

8.如权利要求7所述的介电薄膜元件，其特征在于，具有：

所述单晶基板；

与所述单晶基板重叠的第一电极层；

隔着所述第一电极层与所述单晶基板重叠的所述介电薄膜；和

与所述介电薄膜重叠的第二电极层。

9.如权利要求8所述的介电薄膜元件，其特征在于：

还具有至少一个中间层，

所述中间层配置于所述单晶基板与所述第一电极层之间、所述第一电极层与所述介电薄膜之间、或所述介电薄膜与所述第二电极层之间。

10.如权利要求7所述的介电薄膜元件，其特征在于，具有：

所述单晶基板；

与所述单晶基板重叠的第一电极层；

与所述第一电极层重叠的第一晶质层；

与所述第一晶质层重叠的第二晶质层；

与所述第二晶质层重叠的所述介电薄膜；和

与所述介电薄膜重叠的第二电极层，

所述第一晶质层包含具有钙钛矿结构的LaNiO₃的结晶，

所述第二晶质层包含具有钙钛矿结构的SrRuO₃的结晶，

所述第一晶质层的(100)面在所述单晶基板的表面的法线方向上取向，

所述第二晶质层的(100)面在所述单晶基板的表面的法线方向上取向。