[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶生长装置，具备：

生长容器，其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳所述晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成；

隔热容器，其包围所述生长容器；

温度测量器，其通过设置于所述隔热容器的温度测量用孔，以测量所述生长容器内的温度；以及

加热器，其加热所述碳化硅原料，

通过升华法使所述碳化硅原料加热而升华，使碳化硅单晶在所述晶种基板上生长，其特征在于，

所述生长容器盖体仅在所述生长容器盖体的所述晶种基板的粘接区域内形成有图案，所述图案由贯穿所述生长容器盖体的至少一条曲线或至少一条直线构成，

所述图案形成为从粘接有所述晶种基板的所述生长容器盖体的中心呈放射状，或形成为同心圆状。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述图案的宽度为5mm以下。

3.一种碳化硅单晶的制造方法，通过升华法在粘接于生长容器的生长容器盖体的晶种基板上使碳化硅单晶生长，其特征在于，

使用仅在所述晶种基板的粘接区域内形成有图案的所述生长容器盖体，使所述碳化硅单晶生长，其中，所述图案由贯穿所述生长容器盖体的至少一条曲线或至少一条直线构成，将所述图案形成为从粘接有所述晶种基板的所述生长容器盖体的中心呈放射状，或形成为同心圆状。

4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将所述图案的宽度设定为5mm以下。