[发明专利]复合钨氧化物膜及其制造方法以及具有该膜的膜形成基材和物品在审
申请号: | 201980040623.2 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN112313359A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 佐藤启一;安东勋雄 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C01G41/00;C03C17/245;C23C14/58 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 陈彦;胡玉美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 氧化物 及其 制造 方法 以及 具有 形成 基材 物品 | ||
1.一种复合钨氧化物膜,其是以通式MxWyOz所表示的组成为主成分的复合钨氧化物膜,其中,M是从碱金属、碱土金属、Fe、In、Tl、Sn中选择的1种以上的元素,W是钨,O是氧,所述复合钨氧化物膜的特征在于,
0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0,
实质上不含有机物成分,
波长550nm时的透过率为50%以上,波长1400nm时的透过率为30%以下,并且波长1400nm时的反射率为35%以上。
2.如权利要求1所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,表面粗糙度Sa为20nm以下。
3.如权利要求1或权利要求2所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,薄膜电阻小于105Ω/□。
4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,通过溅射成膜而获得。
5.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,所述M是从Cs、Rb、K、Tl、In、Ba、Li、Na、Ca、Sr、Fe和Sn中选择的1种以上的元素。
6.如权利要求1至权利要求5中任一项所述的复合钨氧化物膜,其含有六方晶的晶体结构。
7.如权利要求6所述的复合钨氧化物膜,
在将通过使用CuKα射线的X射线衍射得到的六方晶(002)面的衍射强度I(002)与六方晶(200)面的衍射强度I(200)的强度比设为I(002)/I(200)时,I(002)/I(200)为0.30以上0.50以下,
通过使用CuKα射线的X射线衍射得到的六方晶的a轴与c轴的比c/a为1.018~1.029。
8.一种复合钨氧化物膜,其是以通式MxWyOz所表示的组成为主成分的复合钨氧化物膜,其中,M是从碱金属、碱土金属、Fe、In、Tl、Sn中选择的1种以上的元素,W是钨,O是氧,
0.001≤x/y≤1、2.2≤z/y≤3.0,
该复合钨氧化物膜含有六方晶的晶体结构,
在将通过使用CuKα射线的X射线衍射得到的六方晶(002)面的衍射强度I(002)与六方晶(200)面的衍射强度I(200)的强度比设为I(002)/I(200)时,I(002)/I(200)为0.30以上0.50以下,
通过使用CuKα射线的X射线衍射得到的六方晶的a轴与c轴的比c/a为1.018~1.029。
9.如权利要求8所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,所述M是从Cs、Rb、K、Tl、Ba中选择的1种以上的元素。
10.如权利要求1至权利要求9中任一项所述的复合钨氧化物膜,其特征在于,具有比20nm厚的膜厚。
11.一种膜形成基材,其特征在于,在被成膜基材的至少一个面上形成有权利要求1至权利要求10中任一项所述的复合钨氧化物膜。
12.如权利要求11所述的膜形成基材,其特征在于,所述被成膜基材具有400℃以上的软化点或者热变形温度。
13.如权利要求11或权利要求12所述的膜形成基材,其特征在于,所述被成膜基材为玻璃。
14.一种物品,其特征在于,具有1个或多个权利要求1至权利要求10中任一项所述的复合钨氧化物膜和/或权利要求11至权利要求13中任一项所述的膜形成基材。
15.一种复合钨氧化物膜的制造方法,其特征在于,
具有:通过物理成膜法来形成膜的成膜工序、以及对所述膜进行热处理的热处理工序,
所述成膜工序中,在非活性气体中进行成膜,并且,所述热处理工序中,在非活性气体或含有还原性气体的非活性气体中以400~700℃进行热处理。
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