[发明专利]用于磁谐振（MR）应用的鞘波屏障

权利要求书

1.一种用于在磁谐振(MR)成像或光谱学装置中以预定抑制频率(ω₀)抑制电缆(4)的电磁RF耦合现象的鞘波屏障(2)，所述电缆被配置为具有至少一个内部导体(6)和外围环绕的导电电缆鞘(8)的屏蔽电缆，所述鞘波屏障包括：

-所述屏蔽电缆的段；

-由在第一电缆位置(12)和第二电缆位置(14)之间的所述屏蔽电缆段形成的初级电感器(10)；

-由导体形成的次级电感器(16)，所述次级电感器同心地布置在所述第一和第二电缆位置之间的初级电感器内或周围；

-所述次级电感器通过相应的第一和第二RLC网络构件(M1、M2)在所述第一和第二电缆连接处电连接到电缆鞘；

-所述初级和次级电感器以补偿方式配置，使得由所述初级和次级电感器产生的磁场在鞘波屏障周围的任何区域中基本上被抵消。

2.根据权利要求1所述的鞘波屏障，其中在所述抑制频率下，所述鞘波屏障具有陷波器阻抗幅度Z_T(ω₀)，其显著大于屏蔽电缆的鞘波阻抗幅度Z_S(ω₀)。

3.根据权利要求1或2所述的鞘波屏障，其中所述初级电感器和所述次级电感器各自被配置为螺线管，所述两个螺线管以相互反向循环的方式设置。

4.根据权利要求3所述的鞘波屏障，其中所述初级电感器被配置为具有第一数量的绕组n1和第一线圈直径d1的圆柱形螺线管，并且其中所述次级电感器被配置为具有第二数量的绕组n2和第二线圈直径d2的圆柱形螺线管，并且其中所述第一和第二线圈直径的比率d1/d2等于所述第二和第一数量的绕组的比率的平方根√(n2/n1)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的鞘波屏障，其中所述次级电感器是实心导线、空心导体、编织导体或绞合导线。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的鞘波屏障，其中所述第一RLC网络构件(M1)是具有第一电容的第一电容器(C1)，并且其中所述第二RLC网络构件(M2)是电流连接或具有第二电容的第二电容器(C2)。

7.根据权利要求6所述的鞘波屏障，其中所述初级和次级电感器与所述第一和第二RLC网络构件一起在所述抑制频率(ω₀)下以及可选地在一个或多个另外的抑制频率下形成并联谐振电路。

8.一种用于MR成像应用的线圈组件(124)，包括：

-由非导电材料制成的载体结构(126)；和

-至少一个导电的MR线圈(128)，用于在MR线圈工作频率下接收和/或发射信号，每个线圈附接到所述载体结构的面上并沿其延伸；

-安装到所述载体结构的至少一个磁场探针(P)(130a，130b，130c)，所述磁场探针包括：

-核磁谐振(NMR)活性物质，其位于沿着纵向探针轴(Ca，Cb，Cc)相互定向的细长探针室内的谐振区域中，并且具有近端和远端；

-用于在探针RF处对所述物质进行脉冲NMR激发并用于接收由所述物质产生的NMR信号的装置；

-所述激发和接收装置包括导电的结构，所述导电的结构包括围绕所述谐振区域设置的线圈构件，并且还包括一对连接导线，所述连接导线在线圈构件的相应端部和布置在所述近端附近的RF耦合单元(122c)之间形成电连接，所述连接导线基本上沿着所述纵向探针轴定向，所述RF耦合单元被配置为连接到可连接到外部RF驱动器和接收器装置的RF线路(132)；

所述线圈组件还包括根据前述权利要求中任何一项所述的至少一个鞘波屏障(102)。

9.根据权利要求8所述的线圈组件，其中所述鞘波屏障设置在形成所述磁场探针的RF线路的屏蔽电缆中。

10.根据权利要求9所述的线圈组件，其中所述鞘波屏障具有预定的抑制频率，所述预定的抑制频率基本上等于所述MR线圈的工作频率。