[发明专利]碳间隙填充膜

权利要求书

1.一种可流动碳膜沉积方法，包括以下步骤：

将基板提供到处理腔室的基板处理区域；

形成包括含碳前驱物的反应等离子体，所述含碳前驱物实质上不包括氧，所述反应等离子体实质上不包括氧；以及

将所述基板暴露于所述反应等离子体，以在所述基板上沉积可流动碳膜，所述可流动碳膜实质上不包括硅，也不包括氧。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述基板具有基板表面，所述基板表面上具有至少一个特征，所述至少一个特征从所述基板表面向底面延伸达一深度，所述至少一个特征在所述基板表面处具有由第一侧壁及第二侧壁所限定的开口宽度，所述可流动碳膜被沉积在所述至少一个特征中，且所述至少一个特征具有所述深度与所述开口宽度的比率，所述比率大于或等于约10:1。

3.如权利要求2所述的方法，其中沉积在所述至少一个特征中的所述可流动碳膜实质上没有接缝。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳前驱物基本上由丙烯、乙炔、或甲烷组成。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳前驱物包括至少一个不饱和键。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述含碳前驱物选自由以下项目所组成的群组：乙烯、丙烯、异丁烯、丁二烯、及苯乙烯。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述不饱和键是终端不饱和键。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将所述可流动碳膜暴露于第二等离子体以固化所述可流动碳膜。

9.如权利要求8所述的方法，其中在不中断真空的情况下在单个腔室中执行所述方法。

10.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板维持在约-100℃到约25℃的范围中的温度下。

11.一种可流动碳膜沉积方法，包括以下步骤：

将基板提供到处理腔室的基板处理区域，所述基板具有基板表面，所述基板表面上具有至少一个特征，所述至少一个特征从所述基板表面向底面延伸达一深度，所述至少一个特征在所述基板表面处具有由第一侧壁及第二侧壁所限定的开口宽度，所述至少一个特征具有所述深度与所述开口宽度的比率，所述比率大于或等于约10:1；

在所述基板处理区域内形成第一等离子体，所述第一等离子体包括含碳前驱物及第一等离子体气体，所述含碳前驱物实质上不包括氧，所述第一等离子体实质上不包括氧；

将所述基板暴露于所述第一等离子体，以在所述至少一个特征中沉积可流动碳膜，沉积在所述至少一个特征中的所述可流动碳膜实质上没有接缝，且所述可流动碳膜实质上不包括硅，也不包括氧；以及

将所述可流动碳膜暴露于第二等离子体以固化所述可流动碳膜，所述第二等离子体通过激发第二等离子体气体来产生，

其中在不中断真空的情况下在单个腔室中执行所述方法，且在整个所述方法中将所述基板维持在大约相同的温度下。