[发明专利]用于控制制造设备和相关联设备的方法在审

专利信息
申请号: 201980041201.7 申请日: 2019-05-01
公开(公告)号: CN112352201A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: W·西蒙斯;D·M·斯劳特布姆;E·德柯尔特 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王益
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 制造 设备 相关 方法
【权利要求书】:

1.一种用于确定对制造过程中所使用的至少一个制造设备的控制的校正的方法,所述至少一个制造设备用于提供结构至衬底上的区,所述区包括多个子区;所述方法包括:

获得与所述区的所述制造过程的过程参数相关的测量数据;和

基于所述测量数据来确定对所述制造设备的校正,其中所述校正被配置成与所述区的剩余部分相比对跨越两个所述子区之间的边界的过程参数来较好地进行校正。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述确定包括施加边界条件,所述边界条件有利于与所述子区内的过程参数误差相比较好地最小化跨越所述边界的过程参数误差的校正。

3.根据权利要求2所述的方法,其中施加边界条件的所述步骤包括:针对跨越所述边界的所述过程参数施加误差阈值,使得所确定的校正确保跨越所述边界的过程参数误差不会超过所述误差阈值。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构被形成在第一层中,并且所述方法还包括:

基于对所述多个子区中的每个子区的单独考虑来确定对所述制造过程的控制的第二层校正,所述第二层校正用于在第二层中提供第二层结构至所述衬底上的所述区。

5.根据权利要求4所述的方法,还包括在单次曝光中使用所述第二层校正来形成所述第二层结构。

6.根据权利要求4所述的方法,其中针对所述多个子区中的每个子区限定单独的控制栅格,单独地针对所述单独的控制栅格限定所述第二层校正。

7.根据权利要求4所述的方法,还包括限定第二层边界区域;和

施加用于与所述第二层边界区域相对应的校正的边界条件。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述边界条件优先于所述边界区域外的第二层校正来优化所述边界区域内的所述第二层校正。

9.根据权利要求2所述的方法,其中施加边界条件的所述步骤包括:施加加权约束,所述加权约束施加加权,所述加权有利于与相对于所述区的剩余部分相比最小化跨越两个子区之间的边界的过程参数误差的校正。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述方法包括:在确定校正的步骤之前限定所述加权约束。

11.根据权利要求2所述的方法,其中所述确定校正包括:确定多项式的系数,所述多项式在遵守所述边界条件的同时最小化整个所述区上的误差。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所述制造过程在多次曝光中将所述产品结构设置在所述衬底上,每次曝光限定所述子区中的相应一个子区,所述子区被邻近地曝光以限定所述区。

13.根据权利要求2所述的方法,其中所述过程参数包括重叠或边缘放置误差。

14.一种包括程序指令的计算机程序,所述程序指令能够操作以当在合适的设备上运行时执行根据权利要求1所述的方法。

15.一种非暂时性计算机程序载体,包括根据权利要求14所述的计算机程序。

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