[发明专利]用于选择性亲水表面处理的臭氧

说明书

提供了用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。该方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。该工艺气体可包括臭氧气体。该方法可包括将硅氮化物层和低‑k介电层暴露于工艺气体中以改变所述硅氮化物层的表面润湿角。

优先权声明

本申请要求2018年10月15日提交的名称为“Ozone for Selective HydrophilicSurface Treatment(用于选择性亲水表面处理的臭氧)”的系列号为62/745,523的美国临时申请的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及工件，比如半导体工件的表面处理。

背景技术

半导体工件的处理可包括在衬底上沉积和去除不同材料层。在半导体处理中，随着半导体器件中关键尺寸减小，器件尺寸和材料厚度继续减小。在高级节点中，材料表面特性和界面完整性可对半导体器件性能变得越来越重要。表面亲水性是特别重要的，因为其影响表面与随后涂覆的材料层的附着。

发明内容

本公开的实施方式的各方面和优点将在以下描述中部分陈述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践得知。

本公开的一个示例性方面涉及用于工件的表面处理的方法。所述工件可包括第一层和第二层。所述方法可包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。所述方法可包括允许工艺气体进入处理腔室。所述工艺气体可包括臭氧气体。所述方法可包括将第一层和第二层暴露于工艺气体以改变第一层的表面润湿角。

本公开的其他示例性方面涉及用于工件的表面处理的系统、方法和装置。

参考以下描述和所附权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图阐明了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关的原理。

附图简述

参考所附附图，对本领域普通技术人员进行各实施方式的详细讨论，其中：

图1描绘了根据本公开的示例性实施方式的表面润湿角的示例性改变；

图2描绘了根据本公开的示例性实施方式的示例性表面处理工艺的总览；

图3描绘了根据本公开的示例性实施方式的示例性方法的流程图；

图4描绘了根据本公开的示例性实施方式的配置用于实施表面处理工艺的示例性处理腔室；

图5描绘了根据本公开的示例性实施方式的配置用于实施表面处理工艺的示例性处理腔室；

图6描绘了根据本公开的示例性实施方式在隔栅处臭氧气体的示例性注入；以及

图7描绘了根据本公开的示例性实施方式的示例性方法的流程图。

具体实施方式

现在将详细参考各实施方式，其一个或多个实例在附图中得到阐释。以解释各实施方式，而非限制本公开的方式来提供每个实例。实际上，对本领域技术人员明显的是，在不偏离本公开的范围或精神的情况下，可对各实施方式进行各种修改和变化。例如，作为一个实施方式的一部分阐释或描述的特征可与另一个实施方式一起使用，以产生进一步的其它实施方式。因此，期望本公开的各方面覆盖这种修改和变化。