[发明专利]具有增强型集成电路的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制备半导体器件封装件的方法，所述方法包括：

将金属材料完全围绕集成电路的多个区域中的每个区域放置在半导体管芯的有源表面上；

使所述金属材料的至少一部分与集成电路的每个区域电气断开；并且

将所述半导体管芯和所述金属材料包封在包封材料中，所述包封材料延伸到所述有源表面上方比所述有源表面上方的所述金属材料的最大高度高的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属材料完全围绕集成电路的所述多个区域中的每个区域放置包括构建所述金属材料到所述最大高度，所述最大高度大于或等于位于所述有源表面上方并且包封在所述包封材料内的任何其他结构的第二最大高度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中构建所述金属材料包括顺序地将掩模材料放置在所述有源表面上方、图案化所述掩模材料以形成沟槽或孔、并且将所述金属材料的部分放置在所述沟槽或孔中。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述金属材料的至少另一部分电连接到集成电路的所述多个区域中的至少一个区域，所述金属材料的所述至少另一部分与所述金属材料的所述至少一部分电气断开。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成所述多个区域的所述集成电路以包括张弛振荡器的至少一部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个区域的所述集成电路包括在所述多个区域中的至少一个区域中形成电阻器或电容器。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述金属材料完全围绕集成电路的所述多个区域中的每个区域放置在所述半导体管芯的所述有源表面上包括完全围绕每个区域形成所述金属材料的壁、栅栏或笼中的一者。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

半导体管芯，所述半导体管芯包括有源表面；

所述有源表面上的集成电路的多个区域；和

金属材料，所述金属材料完全横向围绕所述有源表面上的集成电路的所述多个区域中的每个区域，所述金属材料的至少一部分与集成电路的每个区域电气断开。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中集成电路的多个区域包括张弛振荡器的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中集成电路的所述多个区域中的至少一个区域包括电阻器或电容器。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述金属材料被配置为机械地增强集成电路的所述区域，以使所述张弛振荡器的实际频率在所述半导体器件暴露于约-40℃至约94℃范围内的环境温度时保持在目标频率的约0.25％内。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中当垂直于所述有源表面观察时，所述金属材料形成网格。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述金属材料的至少另一部分电连接到集成电路的所述多个区域中的至少一个区域，所述金属材料的所述至少另一部分与所述金属材料的所述至少一部分电气断开。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中完全围绕集成电路的所述多个区域中的每个区域的所述金属材料包括完全围绕每个区域延伸的所述金属材料的壁、栅栏或笼中的一者。

15.一种半导体器件封装件，所述半导体器件封装件包括：

根据权利要求8所述的半导体器件；和

包封材料，所述包封材料在所述有源表面上方延伸并且至少包封所述半导体管芯的所述有源表面和所述金属材料，所述包封材料延伸到所述有源表面上方比所述有源表面上方所述金属材料的最大高度高的高度。