[发明专利]用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构

权利要求书

1.一种用于沉积金属间化合物的循环沉积工艺，所述循环沉积方法包括以下步骤：

向反应腔室提供包含第一金属的第一气相反应物以与基板的表面反应以形成第一金属物种；以及

向所述反应腔室提供包含第二金属的第二气相反应物以与所述第一金属物种反应以从而形成所述金属间化合物。

2.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第二气相反应物包含含金属的有机化合物。

3.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第二气相反应物选自具有式R-M-H的化合物，其中R为有机基团并且M为金属。

4.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第二金属选自Sn、In、Al、Ga、Ge、As、Sb、Pb和Bi。

5.根据权利要求3所述的循环沉积工艺，其中具有式R-M-H的化合物具有式R_(X-n)-M^X-H_n，其中X为金属的形式氧化态并且n为1至5。

6.根据权利要求3和5中任一项所述的循环沉积工艺，其中R独立地选自C1-C5烷基基团。

7.根据权利要求3和5中任一项所述的循环沉积工艺，其中R为环戊二烯基、氨基、烷氧基、脒阴离子配体、胍阴离子配体、亚氨基、羧酸根配体、β-二酮阴离子配体、β-酮亚胺阴离子配体、丙二酸根配体、β-二酮亚胺阴离子配体基团，其具有或不具有另外的供体官能团。

8.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第二气相反应物包含金属还原剂。

9.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第一气相反应物包含相应的金属氯化物的二胺加合物。

10.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第一气相反应物包含金属卤化物化合物，所述金属卤化物化合物包含二齿含氮加合物配体。

11.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第一气相反应物包含氯化钴(TMEDA)和氯化镍(TMPDA)中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的循环沉积工艺，其中所述第二气相反应物包含TBTH。

13.一种用于形成含金属的材料的循环沉积工艺，所述循环沉积工艺包括：

向反应腔室提供包含第一金属的第一气相前体以形成第一金属物种；以及

提供第二气相反应物以与所述第一金属物种反应以从而形成所述含金属的材料，其中所述第二气相反应物包含具有通式R-M-H的化合物，其中R为有机基团并且M为金属，

其中所述反应腔室内的温度高于0℃并且低于600℃。

14.根据权利要求13所述的循环沉积工艺，其中所述含金属的材料包含元素金属。

15.根据权利要求13所述的循环沉积工艺，其中所述第一金属选自Sn、In、Ga、Al、Ge、As、Sb、Pb和Bi。

16.根据权利要求13所述的循环沉积工艺，其中具有通式R-M-H的化合物具有式R_(X-n)-M^X-H_n，其中X为金属的形式氧化态并且n为1至5。

17.根据权利要求13所述的循环沉积工艺，其中所述第一气相反应物包含相应的金属氯化物的二胺加合物。

18.根据权利要求13所述的循环沉积工艺，其中所述第一气相反应物包含氯化钴(TMEDA)和氯化镍(TMPDA)中的至少一种。