[发明专利]氮化硅基板及氮化硅电路基板

权利要求书

1.一种氮化硅基板，其特征在于，其是具备具有氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体的氮化硅基板，其中，

所述氮化硅基板的板厚为0.4mm以下，

在所述氮化硅烧结体的任意的截面或表面的观察区域50μm×50μm中，可见到全部轮廓的任意的50个所述氮化硅晶粒中的在内部具有位错缺陷部的所述氮化硅晶粒的数目的比例为0％～20％。

2.根据权利要求1所述的氮化硅基板，其特征在于，所述比例为0％～10％。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述位错缺陷部中，除硅、氧及氮以外的成分未成为1μm²以上的块。

4.根据权利要求1～权利要求3中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述位错缺陷部中，未检测到10摩尔％以上的除硅、氧及氮以外的成分。

5.根据权利要求1～权利要求4中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，所述位错缺陷部的占有面积率为5％以下的所述氮化硅晶粒的数目相对于具有所述位错缺陷部的所述氮化硅晶粒的所述数目的比例为70％以上。

6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅烧结体的任意的截面的观察区域300μm×300μm中，所述氮化硅晶粒的长径的最大值为60μm以下。

7.根据权利要求1～权利要求6中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅烧结体的任意的截面的观察区域300μm×300μm中，所述氮化硅晶粒的长径的平均为1μm～10μm的范围内。

8.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，在所述氮化硅烧结体的任意的截面的观察区域300μm×300μm中，各个所述晶界相的面积为9μm²以下。

9.根据权利要求1～权利要求8中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，所述板厚为0.10mm～0.30mm。

10.根据权利要求1～权利要求9中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，绝缘耐压为25kV/mm以上。

11.根据权利要求1～权利要求10中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，导热率为80W/(m·K)以上。

12.根据权利要求1～权利要求11中任一项所述的氮化硅基板，其特征在于，三点弯曲强度为600MPa以上。

13.一种氮化硅电路基板，其特征在于，其具备权利要求1～权利要求12中任一项所述的氮化硅基板和设置于所述氮化硅基板之上的电路部。

14.根据权利要求13所述的氮化硅电路基板，其特征在于，所述电路部是厚度为0.8mm以上的金属板。

15.根据权利要求13或权利要求14所述的氮化硅电路基板，其特征在于，所述电路部为通过蚀刻被加工成图案形状的部分。