[发明专利]制造电子器件的方法

权利要求书

1.制造膜的方法，所述方法包括步骤

(a)提供基底件；

(b)在基底件上沉积如权利要求25至37的任何一项或多项中所述的制剂；和

(c)使所述制剂中包含的单体聚合以获得聚环烯烃层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述基底件是电子器件，优选发光器件。

3.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中在步骤(b)中通过选自浸涂、旋涂、喷墨印刷、喷嘴印刷、凸版印刷、丝网印刷、凹版印刷、刮刀涂布、滚筒印刷、反向滚筒印刷、平版胶印、干式平版胶印、柔性版印刷、卷筒印刷、喷涂、幕涂、刷涂、狭缝模头涂布或移印的方法沉积所述制剂。

4.根据权利要求1至3的任何一项或多项的方法，其中在步骤(b)中通过喷墨印刷或喷嘴印刷沉积所述制剂。

5.根据权利要求1至4的任何一项或多项的方法，其中步骤(c)通过辐射或热或两者进行。

6.根据权利要求1至5的任何一项或多项的方法，其进一步包括步骤(d)将一个或多个附加层沉积到聚环烯烃层上。

7.根据权利要求6的方法，其中在步骤(d)中，所述一个或多个附加层选自有机层、无机层和杂化层。

8.根据权利要求6或权利要求7的方法，其中所述一个或多个附加层是包含选自如下材料的无机层：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮氧化铝、氧化镁、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆、氧化铈、氮化铈、氧化锡、氮化锡和任何这些的任何共混物的材料；优选氮化硅。

9.根据权利要求6至8的任何一项或多项的方法，其中在步骤(d)中，所述一个或多个附加层包含触摸板的层。

10.电子器件，其包含

(a)基底件；和

(b)聚环烯烃膜(层)，其包含权利要求15至24的任何一项或多项的聚环烯烃。

11.根据权利要求10的电子器件，其中所述基底件是电子器件，优选发光器件。

12.根据权利要求10或权利要求11的电子器件，其中所述基底件是依序包含第一电极(阳极)、发光层和第二电极(阴极)的发光器件。

13.根据权利要求10至12的任何一项或多项的电子器件，其中所述基底件是依序包含第一电极(阳极)、空穴传输层、发光层、电子传输层和第二电极(阴极)的有机发光器件。

14.根据权利要求10至13的任何一项或多项的电子器件，其进一步包含在第二电极上的如权利要求8中所述的无机层。

15.聚环烯烃，其包含最多20重量％的不同于H、F和C的原子，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。

16.根据权利要求15的聚环烯烃，其具有在20℃和1,000Hz下测定的最多4.0的电容率ε。

17.根据权利要求15或权利要求16的聚环烯烃，其包含至少50重量％的环烯烃结构单元，重量％相对于聚环烯烃的总重量计。

18.根据权利要求15至17的任何一项或多项的聚环烯烃，其具有通过GPC测定的至少100,000g mol^-1的重均分子量。

19.根据权利要求15至18的任何一项或多项的聚环烯烃，其中所述聚环烯烃是聚降冰片烯。