[发明专利]用于钙钛矿太阳能电池的空穴传输的自组织的单层

权利要求书

1.一种化合物，其由至少一种式(I)的分子与填充分子FM混合而成，

其中，L为连接片段，A为锚定基，并且HTF为选自下式II或III之一的空穴传输片段，

多环Z-D-Z, (II)，

其中Z和D是碳环的或Z或D中的至少一个包含选自N、S、O、Si的杂原子，Z是C₅-或C₆-取代或未取代的芳基，D是N或是C₅-或C₆-环基，其中，环基D的两个相邻碳原子各自稠合至两个芳基Z之一，并且环基D的另两个相邻碳原子各自稠合至另一个芳基Z，从而形成三环十一烷、三环十三烷或三环十四烷衍生物；或者

其中，R是取代基，

FM是至少一种分子，所述分子由锚定基，具有N个碳原子的烷基链以及甲基、卤素、氨基、溴、铵和硫官能团中的至少一个官能团组成，其中，N是1至18，

其中，x是0.02至1，并且y等于1-x。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，D是C₅或C₆杂芳基，其中，杂原子是N、Si、S和/或O。

3.根据权利要求1所述的化合物，其中，空穴传输片段HTF选自式IV至XIV之一

或者

4.根据权利要求1所述的化合物，其中x＝1并且y＝0，A是膦酸基，L是C₂，所述HTF选自式(II)，其中，D是N并且Z是C₆-芳环基，所述C₆-芳环基被甲氧基取代。

5.根据权利要求1所述的化合物，其中x＝1并且y＝0，A是膦酸基，L是C₂，所述HTF选自式(II)，其中，D是N并且Z是C₆-芳环基。

6.一种在TCO基底上形成自组织单层的方法，所述TCO基底用于在倒置结构中的钙钛矿太阳能电池，其中，所述方法包括以下步骤：

·提供涂有氧化层的基底

·用符合以下要求的化合物涂覆基底：通过将基底浸入包含溶剂和化合物的溶液中或将溶液中的化合物旋涂到基底上，

其中，L为连接片段，A为锚定基，并且HTF为选自以下式II或III之一的空穴传输片段，

多环Z-D-Z, (II),

其中Z和D是碳环的或Z或D中的至少一个包含选自N、S、O、Si的杂原子，Z是C₅-或C₆-取代或未取代的芳基，D是N或是C₅-或C₆-环基，其中，环基D的两个相邻碳原子各自稠合至两个芳基Z之一，并且环基D的另两个相邻碳原子各自稠合至另一个芳基Z，从而形成三环十一烷、三环十三烷或三环十四烷衍生物；或者

其中，R是取代基，

FM是至少一种分子，所述分子由锚定基，具有N个碳原子的烷基链以及甲基、卤素、氨基、溴、铵和硫官能团中的至少一个官能团组成，其中，N是1至18，

其中，x是0.02至1，并且y等于1-x。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过离心涂覆将所述化合物进行旋涂。

8.根据权利要求6或7中之一所述的方法，其中

·然后对所述基底进行热回火和/或洗涤。