[发明专利]芯片上变压器电路、分布式有源变压器功率组合器电路和堆叠差分放大器电路在审
申请号: | 201980042931.9 | 申请日: | 2019-10-01 |
公开(公告)号: | CN112912977A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 考希克·达斯古普塔;于传钊;钦坦·塔卡;萨伊德·达内什加尔;尹铉;李玺;阿南达鲁普·查克拉巴蒂;斯特凡·绍波夫 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H03F3/26;H03F3/45;H03F3/60;H01F19/04 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 杨佳婧 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 变压器 电路 分布式 有源 功率 组合 堆叠 差分放大器 | ||
公开了一种芯片上变压器电路。该芯片上变压器电路包括:初级绕组电路,所述初级绕组电路包括至少一匝初级导电绕组,所述初级导电绕组被布置为在衬底的第一电介质层中的第一N边多边形;和次级绕组电路,所述次级绕组电路包括至少一匝次级导电绕组,所述次级导电绕组被布置为在所述衬底的不同的第二电介质层中的第二N边多边形。在一些实施例中,所述初级绕组电路和所述次级绕组电路被布置为沿着所述初级导电绕组和所述次级导电绕组在预定位置处彼此交叠,其中所述预定位置包括多个位置,所述多个位置少于沿着所述初级导电绕组和所述次级导电绕组的所有位置。
本申请要求于2018年11月1日提交的题为“MILLIMETER WAVE TRANSMITTERDESIGN(毫米波发射器设计)”的第16/177,790号美国申请的权益,其全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及毫米波(mmWave)系统,具体地涉及用于在毫米波系统中的发射器设计的系统和方法。
背景技术
移动通信已从早期的语音系统发展到当今高度复杂的集成通信平台。下一代无线通信系统5G或新无线电(NR)将使各种用户和应用程序随时随地访问信息并共享数据。移动无线产品固有地在具有有限电荷的电池上运行,并且需要在提供高性能的同时是紧凑的且具有成本效益。移动无线产品中的大多数功耗是由于它们的发射器(更具体地说是功率放大器)引起的。因此,在将其他规范保持在标准之内的同时,提高功率效率并减小发射器的尺寸和成本是无线移动产品整体性能发展的关键因素。
附图说明
电路、设备和/或方法的一些示例将在下面仅通过示例进行描述。在该上下文中,将参考附图。
图1示出了根据本文所述的各种实施例的芯片上变压器电路的示例性简化框图。
图2示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的示例性实施方式。
图3a描绘了芯片上变压器电路,该芯片上变压器电路包括初级绕组电路和次级绕组电路,所述初级绕组电路和次级绕组电路具有在对角线方向上针对彼此布置的初级馈电端口和次级馈电端口。
图3b示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的截面图。
图4示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的另一示例性实施方式。
图5示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的另一示例实施方式。
图6示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的示例性实施方式。
图7示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的示例性实施方式。
图8示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的示例性实施方式。
图9示出了根据本公开的一个实施例的芯片上变压器电路的示例性实施方式。
图10示出了根据本公开的一个实施例的用于芯片上变压器电路的方法的流程图。
图11示出了根据本公开的一个实施例的用于芯片上变压器电路的方法的流程图。
图12描绘了根据本公开的一个实施例的分布式有源变压器(DAT)功率组合器电路的简化框图。
图13a至图13d描绘了根据本公开的一个实施例的第一DAT电路的示例性实施方式。
图14描绘了根据本公开的一个实施例的分布式有源变压器(DAT)功率组合器电路的示例性实施方式。
图15a和图15b示出了根据本公开的一个实施例的分布式有源变压器(DAT)功率组合器电路的方法的流程图。
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