[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980043056.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112352310A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 小田佳典;上里良宪 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体元件和基板，
所述基板具有：
导电图案，其在正面配置有所述半导体元件并且厚度为T2；
绝缘板，其形成于所述导电图案的背面且厚度为T1；以及
金属板，其形成于所述绝缘板的背面且厚度为T3，在所述金属板的背面形成有多个凹部，
在侧视时，所述导电图案的第一端面形成为比所述金属板的第二端面在所述基板的主面的水平方向上向所述基板的内侧偏移第一距离，
所述半导体元件的第三端面形成为比所述第二端面在所述水平方向上向所述内侧偏移第二距离，
所述多个凹部在所述水平方向上从所述第一端面在所述内侧形成于由以下表示的凹部形成距离的范围中的至少一个范围内，
0＜凹部形成距离≤0.9×T12/第一距离；以及
(1.1×T12/第一距离)≤凹部形成距离＜第二距离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个凹部在所述水平方向上从所述第一端面在所述内侧形成于由以下表示的凹部形成距离的范围中的至少一个范围内，
1＜凹部形成距离≤0.8×T12/第一距离；以及
(1.2×T12/第一距离)≤凹部形成距离＜第二距离。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一距离为：0＜第一距离≤(T22+T32－T12+2×T2×T3)1/2。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在俯视时，所述多个凹部避开所述导电图案和所述金属板的角部附近而形成于所述金属板。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述多个凹部为球截形或球台形，且以不贯穿所述金属板的方式形成于所述金属板。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述多个凹部为球台形或圆柱形，且以贯穿所述金属板的方式形成于所述金属板。
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