[发明专利]结晶性氧化物膜在审
| 申请号： | 201980043074.4 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112334606A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥勋;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C01G15/00;C01G55/00;C23C16/40;C30B25/18;H01L21/365;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结晶 氧化物 | ||
1.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域。
2.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域的晶体生长方向为c轴或大致c轴方向。
3.根据权利要求1或2所述的结晶性氧化物膜，其中，所述横向生长区域实质上不包括位移线。
4.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，包括刚玉结构的横向生长区域，在所述横向生长区域的一部分或全部中，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。
5.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，包括刚玉结构的横向生长区域，在所述横向生长区域的一部分或全部中，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上分别以不同的晶体生长速度扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。
6.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，其为包括刚玉结构的外延层的结晶性氧化物半导体膜，其为晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此的接合面上的外延层。
7.一种结晶性氧化物膜，其特征在于，其为包括刚玉结构的外延层的结晶性氧化物半导体膜，其为晶体生长已在c轴或大致c轴方向上分别以不同的晶体生长速度扩展的结晶性氧化物彼此的接合面上的外延层。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，至少包括元素周期表第4周期～第6周期的一种或两种以上的金属。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，至少包括镓、铟、铑或铱。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的结晶性氧化物膜，其中，包括α-Ga2O3或其混晶作为主要成分。
11.一种半导体装置，其中，包括权利要求1～10中任一项所述的结晶性氧化物膜。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述结晶性氧化物膜为包括掺杂剂的半导体膜。
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，其为功率器件。
14.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，其为功率模块、逆变器或转换器。
15.一种半导体系统，具备半导体装置，其中，所述半导体装置为权利要求11～14中任一项所述的半导体装置。
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