[发明专利]紫外活化光催化材料，它们在挥发性化合物分解中的应用在审
| 申请号： | 201980043458.6 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN112368074A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 埃卡恩巴拉姆·山姆班丹;张彬 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B01J23/58 | 分类号： | B01J23/58;B01J23/66;B01J35/00;B01D53/72;B01D53/00;B01J23/04;B01J21/06;B01J37/08;B01J23/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 活化 光催化 材料 它们 挥发性 化合物 分解 中的 应用 | ||
1.一种光催化材料，其包含：
(a)第一n型半导体，和
(b)第二n型半导体，其中
所述第一n型半导体占所述光催化材料的约40wt％至60wt％，所述第二n型半导体占所述光催化材料的约60wt％至40wt％，使得所述第一n型半导体和所述第二n型半导体总计为约100wt％的所述光催化材料。
2.根据权利要求1所述的光催化材料，其中所述第一n型半导体是多相n型半导体。
3.根据权利要求1或2所述的光催化材料，其中所述多相n型半导体包含锐钛矿相TiO2和金红石相TiO2。
4.根据权利要求2所述的光催化材料，其中所述多相n型半导体包含约83％的锐钛矿相TiO2和约17％的金红石相TiO2。
5.根据权利要求1所述的光催化材料，其中所述第一n型半导体是单相n型半导体。
6.根据权利要求1或5所述的光催化材料，其中所述单相n型半导体包含至少约90％锐钛矿相TiO2。
7.根据权利要求1、5或6所述的光催化材料，其中所述单相n型半导体包含至少约95％锐钛矿相TiO2。
8.根据权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的光催化材料，其中所述第二n型半导体包含式K2TinO(2n+1)的钛酸钾，其中n为2、4、6或8。
9.根据权利要求8所述的光催化材料，其中所述钛酸钾包括K2Ti4O9。
10.根据权利要求8所述的光催化材料，其中所述钛酸钾包括K2Ti6O13。
11.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9或10所述的光催化材料，其中所述第二n型半导体还包含贵金属。
12.根据权利要求11所述的光催化材料，其中所述贵金属包括银、金或铂。
13.根据权利要求11所述的光催化材料，其中所述贵金属是铂。
14.根据权利要求11、12或13所述的光催化材料，其中所述贵金属在所述第二n型半导体中的存在量为约0.001wt％至约1wt％。
15.根据权利要求14所述的光催化材料，其中所述贵金属在所述第二n型半导体中的存在量为约0.075wt％至约0.35wt％。
16.一种用于分解挥发性化合物的方法，其中将所述挥发性化合物暴露于权利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14所述的光催化材料；用紫外线辐射源活化所述光催化材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述紫外线辐射源具有介于约300nm与约420nm之间的波长区域和约15mW/cm2的功率。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述紫外线辐射源具有约365nm的波长和约50mW/cm2的功率。
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