[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980043532.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112368850B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 大屋满明;广木均典;政元启明;林茂生 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
第一电极，设于半导体层叠构造；
第二电极，设于衬底；以及
接合金属层，将上述第一电极和上述第二电极进行接合；
在上述接合金属层的内部存在间隙；
上述第一电极具有p侧电极和n侧电极；
在平面视图中，对于上述间隙所占的面积的比例而言，距上述p侧电极和上述n侧电极相对置的p－n电极对置部较近的区域小于距上述p－n电极对置部较远的区域。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
距上述p－n电极对置部较近的区域是距上述p－n电极对置部的距离为100μm以下的区域。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在将上述接合金属层进行平面观察时，上述间隙是线状，并且沿着上述第一电极的外周边。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述间隙平行于上述第一电极的外周边。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述间隙以一定间隔存在多个列。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述间隙由多个空隙构成。
7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述外周边在至少一部分具有曲线部；
上述间隙沿着上述曲线部。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在将上述接合金属层进行平面观察时，上述间隙的至少一部分是放射状。
9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述间隙的高度是上述接合金属层的高度的10％以上。
10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
在上述间隙的至少一部分中填充有树脂。
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