[发明专利]比较器在审

专利信息
申请号: 201980043849.8 申请日: 2019-05-01
公开(公告)号: CN112352380A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: G·C·马丁斯 申请(专利权)人: 诺维能源公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03K5/24
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 荷兰代*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 比较
【权利要求书】:

1.一种比较器,其被布置用于在低平均功耗下操作以将第一模拟输入信号与第二模拟输入信号进行比较,所述比较器包括:

-第一差分输入级,其包括形成输入差分对的两个输入开关,所述第一差分输入级用于比较所述第一模拟输入信号和所述第二模拟输入信号之间的转变;

-输出级,用于根据所述第一模拟输入信号和所述第二模拟输入信号之间的差来提供所述比较器的数字输出;

-偏置电流级,用于向所述差分输入级提供偏置电流,其特征在于,所述偏置电流级与所述第一模拟输入信号和所述第二模拟输入信号相对应地提供所述偏置电流。

2.根据权利要求1所述的比较器,其中,所述偏置电流级被布置用于在所述第一模拟输入信号和所述第二模拟输入信号之间的转变减小时使向所述差分输入级的偏置电流增大。

3.根据权利要求1或2所述的比较器,所述比较器还包括:

-另外的差分输入级,其包括形成另外的差分对的两个输入开关,并且所述另外的差分对与所述第一差分输入级并联地连接至所述输出级。

4.根据前述权利要求中任一项所述的比较器,所述比较器还包括:

-起动级,其与所述第一差分输入级并联地连接至所述输出级以用于起动所述比较器。

5.根据权利要求3和4所述的比较器,所述比较器还包括:

-电流镜级,其与所述起动级并联连接并与所述另外的差分输入级串联连接。

6.根据前述权利要求中任一项所述的比较器,所述比较器还包括:

-第二差分输入级,其包括形成第二输入差分对的两个输入开关,并且所述第二差分输入级串联连接在所述第一差分对和所述输出级之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的比较器,所述比较器还包括:

-稳定级,其包括开关和电阻器,并且所述稳定级连接在所述另外的差分对和所述第二输入差分对之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的比较器,其中,所述比较器的开关由MOSFET组成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的比较器,其中,所述比较器是异步比较器。

10.一种传感器装置,包括:

-传感器,其被布置用于进行测量并被布置用于生成模拟输入信号;

-数字控制单元,其被布置用于处理传感器测量数据;

-比较器电路,用于将传感器数据的模拟输入信号转换为所述数字控制单元所用的数字传感器测量数据,以及其中,所述比较器电路包括根据权利要求1至9中任一项所述的比较器。

11.一种比较器,其被布置用于在低平均功耗下操作以将第一模拟输入信号与第二模拟输入信号进行比较,所述比较器包括:

-第一晶体管,其用于向所述比较器提供偏置电流,所述第一晶体管的栅极连接至第二晶体管的栅极和漏极、并且所述第一晶体管的漏极连接至第三晶体管的源级和第四晶体管的源极;

-所述第三晶体管和所述第四晶体管,其形成第一差分对,并且所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极连接至所述比较器的输入节点,所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极分别连接至第五晶体管的栅极和源级以及第六晶体管的栅极和源极,并且所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极连接至所述比较器的输出级或第二级;

-所述第六晶体管,其栅极和源极连接至第七晶体管的栅极;

-所述第七晶体管,其漏极连接至所述第二晶体管的源极和栅极。

12.根据权利要求11所述的比较器,还包括:

-第一电阻元件,其连接至所述第七晶体管的源极。

13.根据权利要求11或12所述的比较器,还包括:

-第八晶体管和第九晶体管,所述第八晶体管的源级和所述第九晶体管的源级一起连接至所述第七晶体管的漏极。

14.根据权利要求11、12或13所述的比较器,还包括:

-第十晶体管,其源级和栅极一起连接至所述第九晶体管的漏极。

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