[发明专利]整流电路、电源装置以及整流电路的驱动方法在审
申请号: | 201980043877.X | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN112385130A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 盐见竹史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整流 电路 电源 装置 以及 驱动 方法 | ||
有效地降低整流电路中的瞬态电流。在整流电路(1)中,在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间设有第一整流元件(FR1)。在整流电路(1)中,当使开关元件(TT1)导通时,初级绕组电流从电源(TP1)流向变压器(TR1)的初级绕组(PW1)。当使开关元件(TT1)截止时,第二整流元件电流从变压器(TR1)的次级绕组(SW1)流向第二整流元件(SR1)。通过流过第二整流元件电流,从而在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间施加瞬时的反向电压即第一反向电压。
技术领域
以下的公开涉及整流电路。
背景技术
在设于电源电路的整流电路中,使用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FiledEffect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)或者FRD(First Recovery Diode,快速恢复二极管)等整流元件。这样的整流元件包括具有PN结的二极管。
因此,当在反向上对整流元件施加电压的时,PN结中蓄积的电荷作为瞬态电流在该整流元件中流通。该瞬态电流也被称为反向恢复电流。瞬态电流产生电源电路中的损耗。
专利文献1以及2中分别公开了一种以降低瞬态电流为一目的的电路。例如,在专利文件1中所公开的电路中,为了降低瞬态电流,设置有与半导体开关元件并联连接的二极管和变压器。专利文献2中也公开有与专利文献1相同的电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本国公开特许公报“2011-36075号公报”
专利文献2:日本国公开特许公报“2013-198298号公报”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,如后述那样,对于用于降低整流电路中的瞬态电流的研究仍存在改进的空间。本公开的一个方式的目的在于有效地降低整流电路中的瞬态电流。
解决问题的方案
为了解决上述问题,本公开的一个方面所涉及的整流电路具有第一端子和第二端子,所述整流电路中,将以所述第一端子为基准时对所述第二端子施加的正电压设为正向电压,将以所述第二端子为基准时对所述第一端子施加的正电压设为反向电压,当连续施加所述正向电压时,正向的整流电路电流从所述第二端子流向所述第一端子,当连续施加所述反向电压时,切断正向的所述整流电路电流,所述整流电路包括:第一整流元件,其与所述第一端子和所述第二端子连接;变压器,其具有初级绕组和次级绕组;第二整流元件,其通过所述次级绕组与所述第一整流元件并联连接;开关元件,其与所述初级绕组连接;以及电源,其与所述初级绕组连接,并且在所述整流电路中,当使所述开关元件导通时,从所述电源流向所述初级绕组的电流即初级绕组电流流通,当使所述开关元件截止时,从所述次级绕组流向所述第二整流元件的电流即第二整流元件电流流通,通过流过所述第二整流元件电流,从而施加瞬时的所述反向电压即第一反向电压。
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