[发明专利]晶体管阵列

说明书

一种生产器件的技术，该器件包括限定晶体管阵列的各层的堆叠并且包含一个或多个导电层间连接，其中该方法包括：形成源极‑漏极导体图案，该源极‑漏极导体图案限定源极导体阵列和漏极导体阵列，每个源极导体为晶体管阵列的相应晶体管集合提供寻址线，并且每个漏极导体与晶体管阵列的相应晶体管相关联；其中形成所述源极‑漏极导体图案包括形成第一导体子图案，并且此后形成第二导体子图案，其中所述第一导体子图案在其中要形成与源极‑漏极导体图案的导电层间连接的一个或多个互连区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面，并且第二导体子图案至少在源极导体和漏极导体最接近的区域中提供源极‑漏极导体图案的导电表面。

晶体管阵列可以由包括导体层、半导体层和绝缘体层的各层的堆叠来限定。

堆叠的一个重要部分是限定晶体管阵列的源极和漏极导体的源极-漏极导体图案，并且本申请的发明人已经进行了以下研究：(i)改善半导体沟道与源极/漏极导体之间的电荷载流子传输，以及(ii)改善该源极-漏极导体图案与堆叠中一个或多个其它层级的导体之间的导电连接。

由此，提供了一种制造器件的方法，该器件包括限定晶体管阵列的各层的堆叠并且包含一个或多个导电层间连接，其中该方法包括：形成源极-漏极导体图案，该源极-漏极导体图案限定源极导体阵列和漏极导体阵列，每个源极导体为晶体管阵列的相应晶体管集合提供寻址线，并且每个漏极导体与晶体管阵列的相应晶体管相关联；其中形成所述源极-漏极导体图案包括形成第一导体子图案，并且此后形成第二导体子图案，其中所述第一导体子图案在其中要形成与源极-漏极导体图案的导电层间连接的一个或多个互连区域中提供源极-漏极导体图案的导电表面，并且第二导体子图案至少在源极导体和漏极导体最接近的区域中提供源极-漏极导体图案的导电表面。

根据一个实施例，该方法还包括：在基本上限于所述一个或多个互连区域的区域和所述一个或多个互连区域中的每个互连区域周围的外围区域中形成所述第一导体子图案；以及所述第二导体子图案在所述外围区域中与所述第一导体子图案重叠。

根据一个实施例，该方法还包括：在所述源极-漏极导体图案上方形成一层或多层，并且此后使用由包含氧的气体产生的等离子体在所述一个或多个互连区域中形成通孔，并在互连区域中沉积导体材料；其中第一导体子图案的材料在形成通孔的条件下比第二导体子图案的材料表现出更小的电导率降低。

根据一个实施例，第一导体图案的材料在暴露于所述等离子体时基本上不表现出电导率降低。

根据一个实施例，该方法还包括在源极-漏极导体图案上方形成半导体沟道材料层，以提供用于晶体管阵列的半导体沟道；以及使用由基本上不包括氧的气体产生的等离子体对有机半导体沟道材料层构图。

根据一个实施例，等离子体由基本上由一种或多种稀有气体构成的气体产生。

根据一个实施例，该方法还包括：在所述源极-漏极导体图案上方形成一层或多层；此后在所述一个或多个互连区域中形成通孔；在所述一层或多层上方形成上导体图案，该上导体图案通过所述一个或多个互连区域中的通孔与第一导体子图案接触；以及其中上导体图案和第一导体子图案之间的接触是不同导体材料之间的接触。

由此，还提供了一种方法，包括：使用由基本上不包括氧的气体产生的等离子体来对有机半导体沟道材料层构图，该有机半导体沟道材料层在限定晶体管阵列的各层的堆叠中提供半导体沟道。

根据一个实施例，等离子体由基本上由一种或多种稀有气体构成的气体产生。