[发明专利]用于沉积分散体银层和具有分散体银层的接触表面的银电解质

权利要求书

1.用于将银层沉积在基材上的银电解质，包含

a)银氰化钾，

b)含量至少为10g/L的氰化钾，

c)至少一种具有0.2至10g/L含量的晶粒细化剂；

d)至少一种具有1至10g/L含量的分散剂；

e)至少一种具有1至150g/L含量的固体成分，

其中所述固体成分的颗粒具有10nm至100μm的平均粒度(d₅₀)。

2.根据权利要求1所述的银电解质，其中所述至少一种晶粒细化剂选自萘磺酸、萘磺酸衍生物或其混合物。

3.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中所述至少一种分散剂包含具有可以是未取代的或选择性取代C₁-C₂₀烷基的烷基硫酸钠。

4.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中所述至少一种固体成分的颗粒具有1μm至20μm的平均粒度(d₅₀)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中至少一种固体成分选自

a.石墨、氟化石墨、氧化石墨、金刚石、Al₂O₃包覆的石墨或其混合物，优选石墨、氟化石墨、氧化石墨、Al₂O₃包覆的石墨或其混合物，更优选石墨、氧化石墨或其混合物，并且还更优选石墨；或者

b.MoS₂、WS₂、SnS₂、NbS₂、TaS₂、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si₃N₄、TiB₂、WC、TaC、B₄C、Al₂O₃、ZrO₂、立方BN、MoSe₂、WSe₂、TaSe₂、NbSe₂、SiC、Al₂O₃包覆的MoS₂和Al₂O₃包覆的WS₂或其混合物，优选由MoS₂、WS₂、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS₂、WS₂或其混合物组成；或者

c.MoS₂、WS₂、SnS₂、NbS₂、TaS₂、石墨、氟化石墨、氧化石墨、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si₃N₄、TiB₂、WC、TaC、B₄C、Al₂O₃、ZrO₂、立方BN、金刚石、MoSe₂、WSe₂、TaSe₂、NbSe₂、SiC、Al₂O₃包覆的石墨、Al₂O₃包覆的MoS₂和Al₂O₃包覆的WS₂或其混合物，优选由MoS₂、WS₂、石墨、氧化石墨、六方氮化硼或其混合物，更优选由石墨、氧化石墨、MoS₂、WS₂或其混合物，且还更优选由石墨组成。

6.用于在基材上沉积分散体银层的方法，包括以下步骤，

a)提供根据权利要求1至5中任一项所述的银电解质，

b)将基材引入到所述银电解质中，和

c)实施沉积。