[发明专利]在单晶金刚石基质中包括多个CVD生长的小晶粒金刚石的金刚石材料在审
| 申请号： | 201980044450.1 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112384648A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | Y·察驰 | 申请（专利权）人： | M7D公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/02;C30B29/04;C30B25/04;C23C16/26;C23C16/27 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 基质 包括 cvd 生长 晶粒 材料 | ||
1.一种金刚石材料，其包括：
单晶金刚石衬底，其包括至少部分地位于所述单晶衬底的外表面上的至少一个特意生成的缺陷，所述至少一个特意生成的缺陷由与所述单晶金刚石衬底具有不同晶格取向的表面限定；以及
CVD生长的金刚石部分，其与所述至少一个特意生成的缺陷相切并且包括第一相和第二相，所述第一相包括与所述单晶金刚石衬底不同的多个金刚石晶粒，所述第二相形成用于所述第一相的基质并且由与所述单晶金刚石衬底具有相同晶格取向的单晶金刚石组成。
2.根据权利要求1所述的金刚石材料，进一步包括：
CVD生长的金刚石层，其包括沉积在所述至少一个特意生成的缺陷与所述CVD生长的金刚石部分之间的高层错密度。
3.根据权利要求1所述的金刚石材料，进一步包括：
CVD生长的单晶区段，其由与所述单晶金刚石衬底具有相同晶格取向的单晶金刚石组成。
4.根据权利要求3所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的单晶区段至少部分地包围由所述CVD生长的金刚石部分组成的一个或多个岛。
5.根据权利要求3所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的单晶区段完全包围由所述CVD生长的金刚石部分组成的一个或多个岛。
6.根据权利要求2所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的金刚石部分形成由所述CVD生长的金刚石层限界的一个或多个岛结构。
7.根据权利要求2所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒从所述CVD生长的金刚石层生长。
8.根据权利要求2所述的金刚石材料，其中，从所述CVD生长的金刚石层生长的所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒沿着一定的路径生长。
9.根据权利要求2所述的金刚石材料，其中，从所述CVD生长的金刚石层生长的所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒沿着线性路径生长。
10.一种金刚石材料，其包括：
单晶金刚石衬底；
包括多个层错的CVD生长的金刚石层；以及
与所述CVD生长的金刚石层接触的CVD生长的金刚石部分；所述CVD生长的金刚石部分包括第一相和第二相，所述第一相包括与所述单晶金刚石衬底不同的多个金刚石晶粒，所述第二相形成用于所述第一相的基质并且由与所述单晶金刚石衬底具有相同晶格取向的单晶金刚石组成。
11.根据权利要求10所述的金刚石材料，进一步包括CVD生长的单晶区段，所述CVD生长的单晶区段由与所述单晶金刚石衬底具有相同晶格取向的单晶金刚石组成。
12.根据权利要求11所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的金刚石部分形成由所述CVD生长的金刚石层限界的一个或多个岛结构，并且所述CVD生长的单晶区段至少部分地包围所述一个或多个岛。
13.根据权利要求12所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的单晶区段完全包围所述一个或多个岛。
14.根据权利要求10所述的金刚石材料，其中，所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒从所述CVD生长的金刚石层生长。
15.根据权利要求10所述的金刚石材料，其中，从所述CVD生长的金刚石层生长的所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒沿着一定的路径生长。
16.根据权利要求10所述的金刚石材料，其中，从所述CVD生长的金刚石层生长的所述CVD生长的金刚石部分的散射晶粒沿着线性路径生长。
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