[发明专利]电荷传输性组合物在审
申请号: | 201980044541.5 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN112368857A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 东将之 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C08G61/12;H05B33/10 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 传输 组合 | ||
1.电荷传输性组合物,其特征在于,包含:具有含有式(1)所示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的电荷传输性物质、选自含有氟烷基的硅烷和含有氟芳基的硅烷中的至少1种的有机硅烷化合物、金属氧化物纳米粒子、和溶剂,
[化1]
式中,R1和R2相互独立地为氢原子、碳数1~40的烷基、碳数1~40的氟烷基、碳数1~40的烷氧基、碳数1~40的氟烷氧基、碳数6~20的芳氧基、-O-[Z-O]p-Re、或磺酸基,或者为R1和R2结合所形成的-O-Y-O-,Y为可含有醚键、可被磺酸基取代的碳数1~40的亚烷基,Z为可被卤素原子取代的碳数1~40的亚烷基,p为1以上的整数,Re为氢原子、碳数1~40的烷基、碳数1~40的氟烷基、或碳数6~20的芳基。
2.根据权利要求1所述的电荷传输性组合物,其中,所述含有氟烷基的硅烷和含有氟芳基的硅烷分别在至少1个分子末端具有氟烷基和氟芳基。
3.根据权利要求1或2所述的电荷传输性组合物,其中,所述氟烷基和氟芳基分别为全氟烷基和全氟芳基。
4.根据权利要求3所述的电荷传输性组合物,其中,所述有机硅烷化合物为选自下述式(A1)和(B1)中的至少1种,
[化2]
式中,R3为单键、碳数1~20的亚烷基、碳数6~20的亚芳基、酯键、醚键或羰基键,R4和R5相互独立地为碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基或碳数1~10的三烷基甲硅烷基,X为碳数1~20的全氟烷基或碳数6~20的全氟芳基,L为O、S或N,m为1或2,n为2或3。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电荷传输性组合物,其中,所述金属氧化物纳米粒子为SiO2。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的电荷传输性组合物,其中,所述R1为磺酸基,所述R2为碳数1~40的烷氧基或-O-[Z-O]p-Re,或者所述R1和R2为通过结合而形成的-O-Y-O-。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电荷传输性组合物,其还包含电子接受性掺杂剂物质。
8.根据权利要求7所述的电荷传输性组合物,其中,所述电子接受性掺杂剂物质为芳基磺酸化合物。
9.由根据权利要求1~8中任一项所述的电荷传输性组合物得到的电荷传输性薄膜。
10.有机电致发光元件,其具有根据权利要求9所述的电荷传输性薄膜。
11.根据权利要求9所述的有机电致发光元件,其中,所述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层。
12.电荷传输性薄膜的制造方法,其特征在于,将根据权利要求1~8中任一项所述的电荷传输性组合物在基材上涂布,使溶剂蒸发。
13.有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,使用根据权利要求9所述的电荷传输性薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择