[发明专利]电荷传输性组合物在审

专利信息
申请号: 201980044541.5 申请日: 2019-07-03
公开(公告)号: CN112368857A 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 东将之 申请(专利权)人: 日产化学株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C08G61/12;H05B33/10
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 何杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电荷 传输 组合
【权利要求书】:

1.电荷传输性组合物,其特征在于,包含:具有含有式(1)所示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的电荷传输性物质、选自含有氟烷基的硅烷和含有氟芳基的硅烷中的至少1种的有机硅烷化合物、金属氧化物纳米粒子、和溶剂,

[化1]

式中,R1和R2相互独立地为氢原子、碳数1~40的烷基、碳数1~40的氟烷基、碳数1~40的烷氧基、碳数1~40的氟烷氧基、碳数6~20的芳氧基、-O-[Z-O]p-Re、或磺酸基,或者为R1和R2结合所形成的-O-Y-O-,Y为可含有醚键、可被磺酸基取代的碳数1~40的亚烷基,Z为可被卤素原子取代的碳数1~40的亚烷基,p为1以上的整数,Re为氢原子、碳数1~40的烷基、碳数1~40的氟烷基、或碳数6~20的芳基。

2.根据权利要求1所述的电荷传输性组合物,其中,所述含有氟烷基的硅烷和含有氟芳基的硅烷分别在至少1个分子末端具有氟烷基和氟芳基。

3.根据权利要求1或2所述的电荷传输性组合物,其中,所述氟烷基和氟芳基分别为全氟烷基和全氟芳基。

4.根据权利要求3所述的电荷传输性组合物,其中,所述有机硅烷化合物为选自下述式(A1)和(B1)中的至少1种,

[化2]

式中,R3为单键、碳数1~20的亚烷基、碳数6~20的亚芳基、酯键、醚键或羰基键,R4和R5相互独立地为碳数1~20的烷基、碳数1~20的烷氧基或碳数1~10的三烷基甲硅烷基,X为碳数1~20的全氟烷基或碳数6~20的全氟芳基,L为O、S或N,m为1或2,n为2或3。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的电荷传输性组合物,其中,所述金属氧化物纳米粒子为SiO2

6.根据权利要求1~5中任一项所述的电荷传输性组合物,其中,所述R1为磺酸基,所述R2为碳数1~40的烷氧基或-O-[Z-O]p-Re,或者所述R1和R2为通过结合而形成的-O-Y-O-。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的电荷传输性组合物,其还包含电子接受性掺杂剂物质。

8.根据权利要求7所述的电荷传输性组合物,其中,所述电子接受性掺杂剂物质为芳基磺酸化合物。

9.由根据权利要求1~8中任一项所述的电荷传输性组合物得到的电荷传输性薄膜。

10.有机电致发光元件,其具有根据权利要求9所述的电荷传输性薄膜。

11.根据权利要求9所述的有机电致发光元件,其中,所述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层。

12.电荷传输性薄膜的制造方法,其特征在于,将根据权利要求1~8中任一项所述的电荷传输性组合物在基材上涂布,使溶剂蒸发。

13.有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,使用根据权利要求9所述的电荷传输性薄膜。

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