[发明专利]反应处理装置在审
申请号: | 201980044608.5 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN112400106A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 小木秀也;福泽隆 | 申请(专利权)人: | 日本板硝子株式会社 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N21/05;G01N37/00;C12M1/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 韩香花;崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应 处理 装置 | ||
1.一种反应处理装置,其特征在于,包括:
反应处理容器,其具备在第1主表面形成有供样本移动的流路的基板,和密封所述流路地设于所述第1主表面上的流路密封薄膜,
第1光学头,其具备使第1激发光照射所述流路中的样本,并对通过所述第1激发光的照射而从样本产生的第1荧光进行聚光的第1物镜,
第2光学头,其具备使第2激发光照射所述流路中的样本,并对通过所述第2激发光的照射而从样本产生的第2荧光进行聚光的第2物镜,以及
保持构件,其保持所述第1光学头及所述第2光学头;
在所述反应处理装置中,
所述第1光学头及所述第2光学头被沿所述流路的长度方向并列配置,
所述第1荧光的波长范围和所述第2激发光的波长范围的至少一部分重叠,
所述第1物镜的光轴和所述第2物镜的光轴之间的距离P满足以下式:
2·P0+2·P1+4·P2+4·P3P
其中,L为从所述保持构件到所述流路密封薄膜的距离,t1为所述流路密封薄膜的厚度,t2为所述流路的深度,t3为从所述流路的底部到所述基板的第2主表面的厚度,NA为所述第1物镜及所述第2物镜的数值孔径,n1为所述流路密封薄膜的折射率,n3为所述基板的折射率。
2.如权利要求1所述的反应处理装置,其特征在于,
所述距离P进而满足1.1×(2·P0+2·P1+4·P2+4·P3)≤P,且进而优选满足1.2×(2·P0+2·P1+4·P2+4·P3)≤P。
3.如权利要求1或2所述的反应处理装置,其特征在于,
所述距离P满足P≤S-2×△S,其中,S为配置所述第1光学头及所述第2光学头的流路的直线部分的长度,△S为1mm。
4.如权利要求1至3的任意一项所述的反应处理装置,其特征在于,
在所述基板的所述流路的底部与所述第2主表面之间,包括吸收激发光的光吸收层。
5.一种反应处理装置,其特征在于,包括:
反应处理容器,其具备在第1主表面形成有供样本移动的流路的基板,和密封所述流路地设于所述第1主表面上的流路密封薄膜,
第1光学头,其具备使第1激发光照射所述流路中的样本,并对通过所述第1激发光的照射而从样本产生的第1荧光进行聚光的第1物镜,
第2光学头,其具备使第2激发光照射所述流路中的样本,并对通过所述第2激发光的照射而从样本产生的第2荧光进行聚光的第2物镜,以及
保持构件,其保持所述第1光学头及所述第2光学头;
在所述反应处理装置中,
所述第1光学头及所述第2光学头被沿所述流路的长度方向并列配置,
所述第1荧光的波长范围和所述第2激发光的波长范围的至少一部分重叠,
所述基板设有吸收激发光的光吸收层。
6.如权利要求5所述的反应处理装置,其特征在于,
所述光吸收层被以满足吸收系数α为α≥0.58/t3’的方式形成,其中,t3’为所述光吸收层的厚度。
7.如权利要求5所述的反应处理装置,其特征在于,
所述光吸收层被以满足吸收系数α为α≥0.75/t3’的方式形成,其中,t3’为所述光吸收层的厚度。
8.如权利要求5所述的反应处理装置,其特征在于,
所述光吸收层被以满足吸收系数α为α≥1.15/t3’的方式形成,其中,t3’为所述光吸收层的厚度。
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