[发明专利]用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体

说明书

提供了用于对工件进行硬掩模(例如，掺杂硼的非晶碳硬掩模)去除工艺的装置、系统和方法。在一个示例实施中，方法包括在处理腔室中，将工件支撑在工件支撑件上。方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由工艺气体生成等离子体。等离子体腔室可通过隔栅与处理腔室分开。方法可包括将工件暴露于一种或多种在等离子体中生成的自由基以对工件进行等离子体去胶工艺以从工件至少局部去除硬掩模层。方法可包括在等离子体去胶工艺期间，将工件暴露于作为钝化剂的水蒸气。

优先权声明

本申请要求于2018年10月26日提交的名称为“Water Vapor Based FluorineContaining Plasma for Removal of Hardmasl(用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体)”的美国临时申请系列号62/750,908的优先权权益，其通过引用并入本文。

本申请要求于2018年12月6日提交的名称为“Water Vapor Based FluorineContaining Plasma for Removal of Hardmask(用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体)”的美国临时申请系列号62/776,116的优先权权益，其通过引用并入本文。

本申请要求于2019年3月14日提交的名称为“Water Vapor Based FluorineContaining Plasma for Removal of Hardmask(用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体)”的美国临时申请系列号62/818,260的优先权权益，其通过引用并入本文。

本申请要求于2019年7月11日提交的名称为“Water Vapor Based FluorineContaining Plasma for Removal of Hardmask(用于去除硬掩模的基于水蒸气的含氟等离子体)”的美国临时申请系列号62/872,873的优先权权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开大体上涉及处理半导体工件。

背景技术

等离子体去胶工艺(例如，干式去胶工艺)可用于半导体制造作为用于去除工件上图案化的硬掩模和/或其他材料的方法。等离子体去胶工艺可使用从由一种或多种工艺气体生成的等离子体提取的反应性的物质(例如，自由基)来从工件的表面刻蚀和/或去除光阻层和其他掩模层。例如，在一些等离子体去胶工艺中，来自在远程等离子体腔室中生成的等离子体的中性物质穿过隔栅进入处理腔室。中性物质可暴露至工件，比如半导体晶片，以从工件表面去除硬掩模。

发明内容

本公开的实施方式的方面和优点将部分在以下描述中陈述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践而得知。

在一个示例实施中，方法包括在处理腔室中，将工件支撑在工件支撑件上。方法可包括使用等离子体源在等离子体腔室中由工艺气体生成等离子体。等离子体腔室可通过隔栅与处理腔室隔开。方法可包括将工件暴露于在等离子体中生成的一种或多种自由基，对工件进行等离子体去胶工艺，以从工件至少局部去除硬掩模层。方法可包括在等离子体去胶工艺期间，将工件暴露于作为钝化剂的水蒸气。

本公开的其他示例方面涉及用于处理工件的系统、方法和装置。

参考以下描述和所附权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关的原理。

附图说明

指导本领域技术人员的实施方式的详细讨论阐释在参考了所附附图的说明书中，其中：

图1描绘了对高纵横比结构的示例硬掩模去除工艺；

图2描绘了根据本公开的示例实施方式的高纵横比结构的示例硬掩模去除工艺；