[发明专利]使用角度化离子来选择性地沉积层的方法、系统及装置

权利要求书

1.一种使用角度化离子来选择性地沉积层的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括衬底表面，所述衬底表面具有三维形状，并且包括多个结构，所述多个结构包括顶部、沟槽和多个侧壁；

将沉积物种从沉积源引导到所述衬底表面，其中层沉积在所述衬底表面的沉积区上，所述沉积区包括所述顶部和所述多个侧壁中的至少一个侧壁；

在进行所述引导期间或在进行所述引导之后实行衬底扫描以将所述衬底从第一位置输送到第二位置；以及

在存在所述层的情况下将角度化离子引导到所述衬底表面，其中从所述沉积区的第一部分溅射蚀刻所述层以移除第一层，且其中所述层保留在所述沉积区的第二部分中，

其中所述第一部分包括所述顶部，并且其中所述第二部分包括所述多个侧壁中的至少一个侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积源包括第一离子源，所述第一离子源相对于所述衬底的平面的垂线以第一非零入射角引导所述沉积物种，其中所述沉积区包括不到整个所述衬底表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述衬底表面包括被遮蔽区，其中所述层不形成在所述被遮蔽区上。

4.根据权利要求2所述的方法，其中相对于所述衬底的所述平面以第二非零入射角从第二离子源引导所述角度化离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积源包括等离子体源，其中所述层各向同性地沉积在所述衬底表面上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底表面包含第一材料，其中所述层包含第二材料，所述方法还包括：

为所述角度化离子设定目标角度，所述目标角度包括相对于所述衬底的目标表面的垂线的非零入射角，所述目标表面设置在所述沉积区内，

其中在所述目标角度下，所述角度化离子产生关于所述第一材料的第一溅射率及关于所述第二材料的第二溅射率，所述第一溅射率大于所述第二溅射率。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：基于随着所述第一材料及所述第二材料的能量而变化的溅射率特点将所述角度化离子的离子能量调整到目标离子能量，其中溅射比增大。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积源包括第一离子源，所述第一离子源相对于所述衬底的平面的垂线以零入射角线引导所述沉积物种，其中所述沉积区包括不到整个所述衬底表面。

9.一种使用角度化离子来选择性地沉积层的系统，包括：

工艺腔室，用以容纳衬底，所述衬底包括衬底表面，所述衬底表面包括具有三维形状的至少一个结构；

沉积源，设置成邻近所述工艺腔室且被布置成以相对于衬底平面的垂线的第一入射角产生沉积物种以在所述衬底上形成层；

角度化离子源，以相对于衬底平面的垂线的与所述第一入射角相对的第二入射角将角度化离子引导到所述工艺腔室；

衬底载台，设置在所述工艺腔室中以使所述衬底从第一位置到第二位置接受扫描；以及

控制器，耦合到所述角度化离子源，所述控制器被布置成发送至少一个控制信号以基于与所述至少一个结构相关的结构信息来调整所述入射角，所述结构信息包括所述至少一个结构的高度和所述至少一个结构中的邻近结构之间的节距中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述沉积源被布置成产生角度化沉积束。

11.根据权利要求9所述的系统，其中所述沉积源包括第一离子源。

12.根据权利要求9所述的系统，所述结构信息还包括所述衬底表面的将被溅射蚀刻的目标区、所述层的材料组成或所述衬底的材料组成。