[发明专利]固体摄像元件和电子设备

说明书

根据本发明的一个实施例的固体摄像元件包括：半导体基板，其针对每个像素具有光电转换部；像素晶体管，其设置在半导体基板的一个表面上；和元件分离部，其设置在半导体基板上，包括具有不同构造的第一元件分离部和第二元件分离部，并且限定像素晶体管的活性区域。第二元件分离部在侧面上具有沿第二元件分离部的深度方向杂质浓度不同的第一半导体区域和第二半导体区域。

技术领域

本发明涉及包括像素间的元件分离部的固体摄像元件和包括该固体摄像元件的电子设备。

背景技术

在诸如电荷耦合器件(CCD：Charge Coupled Device)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器等固体摄像装置中，设置有固体摄像元件，该固体摄像元件针对每个像素包括光电转换部。例如，在专利文献1描述的固体摄像元件中，除了将晶体管间分离的浅元件分离部(Shallow TrenchIsolation：STI(浅沟槽隔离))以外，还公开了一种用于像素间的光学和电气分离的深元件分离部(Deep Trench Isolation：DTI(深沟槽隔离))，例如，元件分离膜被埋嵌在贯通半导体基板的沟槽中的结构。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第2016-39315号

发明内容

顺便提及，在固体摄像元件中，需要提高像素间的光学和电气分离以及面积效率。

期望提供一种可以提高面积效率的固体摄像元件和电子设备。

根据本发明的实施例的固体摄像元件包括：半导体基板，其针对每个像素包括光电转换部；像素晶体管，其设置在半导体基板的一个表面上；和元件分离部，其设置在半导体基板中，并且包括具有互不相同的构造的第一元件分离部和第二元件分离部，元件分离部限定像素晶体管的活性区域，其中，第二元件分离部在侧面上具有沿第二元件分离部的深度方向杂质浓度互不相同的第一半导体区域和第二半导体区域。

根据本发明的实施例的电子设备包括根据本发明的实施例的固体摄像元件。

在本发明的相应实施例的固体摄像元件和电子设备中，在针对每个像素包括光电转换部的半导体基板中，设置有具有互不相同的构造的第一元件分离部和第二元件分离部，并且第一元件分离部和第二元件分离部构成用于限定像素晶体管的活性区域的元件分离部。杂质浓度互不相同的第一半导体区域和第二半导体区域形成在第二元件分离部的深度方向的侧面上。这防止因设置用于例如像素间的光学和电气分离的深元件分离部(DTI)而导致的面积效率降低。

在本发明的相应实施例的固体摄像元件和电子设备中，像素晶体管的活性区域由具有互不相同的构造的第一元件分离部和第二元件分离部限定，从而防止因设置用于例如像素间的光学和电气分离的深元件分离部(第二元件分离部)而导致的面积效率降低。因此，可以提供具有高面积效率的固体摄像元件和包括该固体摄像元件的电子设备。

需要注意，在此描述的效果不一定是限制性的，并且可以是本发明中描述的任何效果。

附图说明

图1是根据本发明的第一实施例的固体摄像元件的主要部分的示意横截面图。

图2是图1所示的固体摄像元件的示意平面图。

图3A是图1所示的固体摄像元件的元件分离部的制造步骤的示例的说明性示意横截面图。

图3B是接续图3A的步骤的示意横截面图。

图3C是接续图3B的步骤的示意横截面图。

图3D是接续图3C的步骤的示意横截面图。