[发明专利]选择性蚀刻材料的改进

权利要求书

1.一种选择性去除氧化铝或氮化铝材料的方法，所述方法包含使所述材料与水性蚀刻组合物接触，所述水性蚀刻组合物包含：

含氟化物源的蚀刻剂；和

金属腐蚀抑制剂；

其中所述组合物的pH在3到8范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂选自HF、氟化铵和氟化四烷基铵。

3.根据权利要求1所述的方法，其中按所述组合物的总重量计，所述组合物中蚀刻剂的量在0.001到0.5wt./wt.％的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包含杂环氮化合物金属腐蚀抑制剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述组合物包含经取代的苯并三唑腐蚀抑制剂，任选地为5-甲基-苯并三唑。

6.根据权利要求5所述的方法，其中按所述组合物的总重量计，所述组合物中任选地经取代的苯并三唑腐蚀抑制剂的量在0.1wt./wt.％到1wt./wt.％范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包含阳离子表面活性剂腐蚀抑制剂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包含季铵金属腐蚀抑制剂，其包含式(I)的季铵阳离子：

其中R¹、R²、R³和R⁴独立地选自季铵化基团，且其中R⁴包含至少8个碳原子。

9.根据权利要求8所述的方法，其中R¹包含经取代或未经取代的芳基季铵化基团，和/或其中R²和R³独立地选自具有1到5个碳原子范围内的经取代或未经取代的烷基。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述季铵金属腐蚀抑制剂包含氯化苯甲基二甲基十二烷基铵。

11.根据权利要求8所述的方法，其中按所述组合物的总重量计，所述组合物中季铵金属腐蚀抑制剂的量在0.001wt./wt.％到0.01wt./wt.％范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物的pH在3到5范围内。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包含pH缓冲剂，任选地是乙酸铵。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述组合物包含有机溶剂，任选地是亚砜、二醇、醚和碳酸酯中的一种或多种。

15.一种水性蚀刻组合物，其包含：含氟化物源的蚀刻剂；和金属腐蚀抑制剂；其中所述组合物的pH在3到8范围内。

16.根据权利要求15所述的水性蚀刻组合物，其用稀释剂、任选地用水稀释。

17.根据权利要求15所述的组合物，其能够实现以下中的一项或多项：

-至少50埃/分钟的氮化铝蚀刻速率；

-至多4埃/分钟的钨蚀刻速率；

-至多4埃/分钟的钴蚀刻速率；

-至多4埃/分钟的低k介电蚀刻速率。