[发明专利]低电流、高功率激光二极管条

权利要求书

1.一种高功率激光二极管条，包括：

半导体基板，包括第一导电类型的第一半导体层；

第一激光二极管堆叠体，在所述半导体层的正面上；

第二激光二极管堆叠体，在所述半导体层的正面上，所述第二激光二极管堆叠体与所述第一激光二极管堆叠体串联地电连接，

其中，所述第一激光二极管堆叠体和所述第二激光二极管堆叠体中的每一个包括所述第一导电类型的一个或多个半导体包覆层，并且

其中，所述第一导电类型的第一半导体层的电导率高于所述第一导电类型的每个半导体包覆层的电导率；以及

所述第一电极层，在所述第一激光二极管堆叠体上，其中，所述第一电极层将所述第一激光二极管堆叠体电连接到在所述第一激光二极管堆叠体与所述第二激光二极管堆叠体之间的所述第一导电类型的第一半导体层的部分。

2.根据权利要求1所述的激光二极管，包括：

沟槽，在所述第一激光二极管堆叠体与所述第二激光二极管堆叠体之间；

介电层，在所述第一激光二极管堆叠体和所述第二激光二极管堆叠体二者上，所述介电层延伸到所述沟槽中，

其中，所述第一电极层穿过所述介电层中的第一开口电连接到所述第一激光二极管堆叠体，并且穿过所述介电层中的第二开口电连接到所述第一导电类型的第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的激光二极管条，其中，所述沟槽延伸到所述第一导电类型的第一半导体层中。

4.根据权利要求3所述的激光二极管条，其中，所述基板包括在所述第一导电类型的所述第一半导体层下方的半绝缘的半导体区域，并且所述沟槽延伸到所述半绝缘的区域中。

5.根据权利要求1所述的激光二极管条，其中，所述第一电极层包括与所述第一激光二极管堆叠体的欧姆接触以及与所述第一导电类型的所述第一半导体层的欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的激光二极管条，其中，所述第一导电类型的第一半导体层以及每个半导体包覆区域内的每一层都掺杂有第一掺杂剂类型，并且其中，所述第一半导体层中的第一掺杂剂类型的浓度大于在每个半导体包覆区域的每一层中的第一掺杂剂类型的浓度。

7.根据权利要求6所述的激光二极管条，其中，所述第一半导体层中的所述第一掺杂剂类型的浓度大于1*10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1所述的激光二极管条，其中，所述第一半导体层的电阻小于10毫欧。

9.根据权利要求1所述的激光二极管条，其中，所述第一电极层将所述第一激光二极管堆叠体的阳极电连接到所述第二激光二极管堆叠体的阴极。

10.根据权利要求1所述的激光二极管条，其中，每个激光二极管堆叠体包括：

第二导电类型的第二包覆层；以及

用于生成光子的半导体有源区域，其中，所述半导体有源区域在所述第一导电类型的第一包覆层与所述第二导电类型的第二包覆层之间，并且

其中，所述第一电极层在所述第一激光二极管堆叠体中的所述第二包覆层上且电连接到所述第一激光二极管堆叠体中的所述第二包覆层。

11.根据权利要求1所述的高功率激光二极管条，包括在所述第一导电类型的所述第一半导体层的背面上且直接在所述第一激光二极管堆叠体的底下的分流电极层。

12.根据权利要求11所述的激光二极管条，包括在所述半导体基板中的第一凹部，其中，所述分流电极层在所述第一凹部内。

13.根据权利要求12所述的激光二极管条，其中，所述第一凹部从所述半导体基板的背面延伸到所述第一半导体层的背面。