[发明专利]用于半导体存储器的错误校正编码与数据总线反转的设备与方法在审

专利信息
申请号: 201980045953.0 申请日: 2019-09-09
公开(公告)号: CN112384897A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 利穗吉郎;清水淳史;朴尚坚;郭钟太 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F13/16;H03M13/31
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 存储器 错误 校正 编码 数据 总线 反转 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

I/O电路,其经配置以接收第一数据及与所述第一数据相关联的第一ECC数据;

存储器阵列;及

控制电路,其耦合于所述I/O电路与所述存储器阵列之间,所述控制电路经配置以至少部分响应于所述第一数据及所述第一ECC数据而执行第一ECC解码以产生校正第一数据及校正第一ECC数据,所述控制电路进一步经配置以将所述校正第一数据及所述校正第一ECC数据两者存储到所述存储器阵列中。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制电路进一步经配置以:从所述存储器阵列接收第二数据及对应于所述第二数据的第二ECC数据,执行第二ECC解码以产生校正第二数据及校正第二ECC数据,及将所述校正第二数据及所述校正第二ECC数据传输到所述I/O电路。

3.根据权利要求2所述的设备,其中基于共同H矩阵来执行所述第一ECC解码及所述第二ECC解码汇中的每一者。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述I/O电路进一步经配置以接收DBI数据及对应于所述DBI数据的第二ECC数据,且基于所述DBI数据来DBI编码所述第一数据;

其中所述控制电路进一步经配置以响应于所述第二ECC数据而对所述DBI数据执行第二ECC解码以产生校正DBI数据且响应于所述校正DBI数据而对所述第一数据执行DBI解码以产生中间第一数据;且

其中对所述中间第一数据及所述第一ECC数据执行所述第一ECC解码以产生所述校正第一数据及所述校正第一ECC数据。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述I/O电路进一步经配置以接收DBI数据及对应于所述DBI数据的第二ECC数据,且基于所述DBI数据来DBI编码所述第一数据;

其中对所述第一数据及所述第一ECC数据执行所述第一ECC解码以产生中间第一数据及所述校正第一ECC数据;且其中所述控制电路进一步经配置以对所述DBI数据及所述第二ECC数据执行第二ECC解码以产生校正DBI数据且响应于所述校正DBI数据而对所述中间第一数据执行DBI解码以产生所述校正第一数据。

6.根据权利要求5所述的设备,其中所述控制电路进一步经配置以:从所述存储器阵列接收第二数据及对应于所述第二数据的第二ECC数据,对所述第二数据及所述第二ECC数据执行第三ECC解码以产生中间第二数据及校正第二ECC数据,对所述中间第二数据执行DBI编码以产生校正第二数据及额外DBI数据,对所述额外DBI数据执行ECC编码以产生第三ECC数据,及将所述校正第二数据、所述校正第二ECC数据、所述额外DBI数据及所述第三ECC数据传输到所述I/O电路。

7.一种设备,其包括:

I/O电路,其经配置以接收第一数据、与所述第一数据相关的数据总线反转DBI数据、与所述第一数据相关联的第一ECC数据及与所述DBI数据相关联的第二ECC数据;

存储器阵列;及

控制电路,其耦合于所述I/O电路与所述存储器单元阵列之间,所述控制电路包括第一ECC解码电路、第二ECC解码电路及DBI解码电路;

其中所述第二ECC解码电路经配置以至少部分响应于所述DBI数据及所述第二ECC数据而产生校正DBI数据;

其中所述第一ECC解码电路及所述DBI解码电路经配置以至少部分响应于所述第一数据、所述第一ECC数据及所述校正DBI数据而产生校正及DBI解码第一数据及校正第一ECC数据;且

其中所述控制电路经配置以将所述校正及DBI解码第一数据及所述校正第一ECC数据两者存储到所述存储器阵列中。

8.根据权利要求7所述的设备,其中所述DBI解码电路进一步经配置以接收所述第一数据及所述校正DBI数据且产生DBI解码第一数据;且

其中所述第一ECC解码电路进一步经配置以接收所述DBI解码第一数据及所述第一ECC数据且产生所述校正及DBI解码第一数据及所述校正第一ECC数据。

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