[发明专利]硅锭、硅晶块、硅基板、硅锭制造方法以及太阳能电池

权利要求书

1.一种硅锭，具有第一面、位于该第一面的相反一侧的第二面、以及以将所述第一面和所述第二面连接的状态沿第一方向配置的第三面，其中，

所述硅锭具有以在与所述第一方向垂直的第二方向上按顺序相邻的状态配置的第一类单晶区域、包括一个以上的类单晶区域的第一中间区域、以及第二类单晶区域，

在所述第二方向上，所述第一类单晶区域的第一宽度以及所述第二类单晶区域的第二宽度各自比所述第一中间区域的第三宽度大，

所述第一类单晶区域与所述第一中间区域的边界以及所述第二类单晶区域与所述第一中间区域的边界各自具有重位点阵晶界。

2.如权利要求1所述的硅锭，其中，

所述第一类单晶区域、所述第二类单晶区域以及所述一个以上的类单晶区域各自的沿所述第一方向的结晶方位为密勒指数中的100方位。

3.如权利要求2所述的硅锭，其中，

所述重位点阵晶界包括Σ值为29的重位点阵晶界。

4.如权利要求1至3中任一项所述的硅锭，其中，

所述第一宽度和所述第二宽度不同。

5.一种硅晶块，具有第四面、位于该第四面的相反一侧的第五面、以及以将所述第四面和所述第五面连接的状态沿第一方向配置的第六面，其中，

所述硅晶块具有以在与所述第一方向垂直的第二方向上按顺序相邻的状态配置的第三类单晶区域、包括一个以上的类单晶区域的第二中间区域、以及第四类单晶区域，

在所述第二方向上，所述第三类单晶区域的第四宽度以及所述第四类单晶区域的第五宽度各自比所述第二中间区域的第六宽度大，

所述第三类单晶区域与所述第二中间区域的边界以及所述第四类单晶区域与所述第二中间区域的边界各自具有重位点阵晶界。

6.如权利要求5所述的硅晶块，其中，

所述第三类单晶区域、所述第四类单晶区域以及所述一个以上的类单晶区域各自的沿所述第一方向的结晶方位为密勒指数中的100方位。

7.如权利要求6所述的硅晶块，其中，

所述重位点阵晶界包括Σ值为29的重位点阵晶界。

8.如权利要求5至7中任一项所述的硅晶块，其中，

所述第四宽度和所述第五宽度不同。

9.一种硅基板，呈平板状，具有第七面、在第一方向上位于所述第七面的背面侧的第八面、以及以将所述第七面和所述第八面连接的状态配置的外周面，其中，

所述硅基板具有以在与所述第一方向垂直的第二方向上按顺序相邻的状态配置的第五类单晶区域、包括一个以上的类单晶区域的第三中间区域、以及第六类单晶区域，

在所述第二方向上，所述第五类单晶区域的第七宽度以及所述第六类单晶区域的第八宽度各自比所述第三中间区域的第九宽度大，

所述第五类单晶区域与所述第三中间区域的边界以及所述第六类单晶区域与所述第三中间区域的边界各自具有重位点阵晶界。

10.如权利要求9所述的硅基板，其中，

所述第五类单晶区域、所述第六类单晶区域以及所述一个以上的类单晶区域各自的沿所述第一方向的结晶方位为密勒指数中的100方位。

11.如权利要求10所述的硅基板，其中，

所述重位点阵晶界包括Σ值为29的重位点阵晶界。