[发明专利]面板的制造方法及激光处理装置在审
申请号: | 201980046171.9 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN112424910A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 郑石焕;町田政志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/268 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王宁 |
地址: | 日本东京都品*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 制造 方法 激光 处理 装置 | ||
1.一种面板的制造方法,包括以下步骤:
(a)于上表面形成有非晶半导体膜的基板上,放置可透射激光的部件的步骤;及
(b)经由所述部件对所述非晶半导体膜照射激光,以形成多晶半导体膜的步骤。
2.根据权利要求1所述的面板的制造方法,其中,所述部件是以玻璃或石英为主要成分。
3.根据权利要求1或2所述的面板的制造方法,其中,将所述部件配置为覆盖所述基板的整个所述上表面。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的面板的制造方法,其中,所述部件与所述基板之间通过静电而固定。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的面板的制造方法,其中,将所述基板配置于可移动的平台上。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的面板的制造方法,其中,所述基板在悬浮于被固定的平台上的同时被搬运。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的面板的制造方法,其中,于所述基板与所述部件之间形成间隙,于所述间隙中填充有惰性气体。
8.根据权利要求7所述的面板的制造方法,其中,所述间隙比所述非晶半导体膜的膜厚还宽。
9.根据权利要求7或8所述的面板的制造方法,其中,惰性气体为氮气。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的面板的制造方法,其中,所述惰性气体经过静电处理。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的面板的制造方法,其中,所述部件与所述基板具有相同尺寸。
12.根据权利要求11所述的面板的制造方法,其中,所述部件是母玻璃。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的面板的制造方法,其中,所述非晶半导体膜是非晶硅膜,所述多晶半导体膜是多晶硅膜。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的面板的制造方法,其中,实施多次所述(b)步骤。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的面板的制造方法,其中,
面板具有多个像素区域,
于所述多个像素区域的每一个中形成有薄膜晶体管,
所述多晶半导体膜是所述薄膜晶体管的沟道膜。
16.根据权利要求15所述的面板的制造方法,其中,所述面板是电视用的显示面板。
17.根据权利要求15所述的面板的制造方法,其中,所述面板是移动通信装置用的显示面板。
18.一种面板的制造方法,包括以下步骤:
(a)于上表面形成有非晶半导体膜的基板上,形成多个突起部的步骤;
(b)于惰性气体气氛中,将可透过激光的部件,隔着所述多个突起部,放置于形成有所述非晶半导体膜的所述基板上;及
(c)隔着所述部件,对所述非晶半导体膜照射激光,以形成多晶半导体膜的步骤。
19.一种激光处理装置,其包括以下:
激光振荡器,用于照射激光;
搬运台,用于搬运被所述激光所照射的基板;
测量器,其配置于所述搬运台的上方;及
控制部,其可根据从所述测量器所输出的值来控制激光的能量,
于此,于所述基板的上表面上放置可透过所述激光的部件,
所述测量器测量所述激光被所述部件反射的反射光的能量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造