[发明专利]摄像元件、层叠型摄像元件和固态摄像装置

权利要求书

1.一种摄像元件，其包括：

光电转换部，所述光电转换部包括相互层叠起来的第一电极、光电转换层和第二电极，

其中，在所述光电转换层的正下方，从所述光电转换层侧形成有氧化膜和氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中

构成所述氧化膜的元素之中的至少一部分不同于构成所述氧化物半导体层的元素。

3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中

假设E₂表示在所述氧化物半导体层的导带的最大能量值处的能量平均值，并且E₁表示在所述氧化膜的导带的最大能量值处的能量平均值，则满足

E₁-E₂≥-0.4(eV)。

4.根据权利要求3所述的摄像元件，其中

假设E₀表示在所述光电转换层的LUMO值处的能量平均值，则满足

E₀-E₁≥-0.4(eV)。

5.根据权利要求4所述的摄像元件，其中

满足E₀≥E₁≥E₂。

6.根据权利要求1所述的摄像元件，其中

假设E₄表示在所述氧化膜的价带的最小能量值处的能量平均值，并且E₃表示在所述光电转换层的HOMO值处的能量平均值，则满足

E₃-E₄≥-0.4(eV)。

7.根据权利要求6所述的摄像元件，其中

假设E₅表示在所述氧化物半导体层的价带的最小能量值处的能量平均值，则满足

E₄-E₅≥-0.4(eV)。

8.根据权利要求7所述的摄像元件，其中

满足E₃≥E₄≥E₅。

9.根据权利要求1所述的摄像元件，其中

构成所述氧化膜的材料包括金属氧化物。

10.根据权利要求9所述的摄像元件，其中

所述金属氧化物含有从由钽、钛、钒、铌、钨、锆、铪、钪、钇、镧、镓和镁组成的群组中选择的至少一种元素。

11.根据权利要求10所述的摄像元件，其中

在所述氧化膜中添加有从由硅、钽、钒、铌、钨、锆、铪、钪、钇、镧、镓、镁、铝、锶、锗、氢、碳和氮组成的群组中选择的至少一种元素，但是该元素不同于构成所述金属氧化物的元素。

12.根据权利要求9所述的摄像元件，其中

所述氧化膜的厚度为一个原子层以上且1×10^-7m以下。

13.根据权利要求1所述的摄像元件，其中

所述氧化膜包括隧道氧化膜。

14.根据权利要求13所述的摄像元件，其中

所述隧道氧化膜含有从由SiO_X、SiON、SiOC和AlO_Y组成的群组中选择的至少一种材料。

15.根据权利要求13所述的摄像元件，其中

所述隧道氧化膜的厚度为一个原子层以上且5×10^-9m以下。