[发明专利]磁体检测装置在审

专利信息
申请号: 201980046210.5 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN112384815A 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 桑波田晃弘;日下部守昭;关野正树 申请(专利权)人: 玛特里克细胞研究所株式会社
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;A61B5/05;G01R33/07;G01R33/09;G01R35/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 肖靖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁体 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种磁体检测装置,其特征在于,

在前端具备在与对象物接触或者接近的状态下检测磁体的检测部,

该检测部具备:

磁铁部,用于对磁体进行磁化;以及

磁传感器,用于检测磁性,

所述磁铁部具备:

为永久磁铁的磁铁主体部;以及

校正部,配置于该磁铁主体部的至少前后一方来校正从磁铁主体部产生的磁场,

在校正部的前后端部的附近形成成为所期望的磁场强度的特定位置,

所述校正部构成为将在磁铁部的前后一个端部处由磁铁主体部产生的磁场抵消,并且根据校正部产生的磁场的磁场梯度,从磁铁主体部的配置有校正部的前后端部向前后方向的内部分离,从而调节所述特定位置处的由磁铁部产生的磁场的磁场梯度,

所述磁传感器配置于磁场梯度被所述校正部调整后的所述特定位置。

2.一种磁体检测装置,其特征在于,

所述校正部包括:

第一校正部,配置于所述磁铁主体部的前后方向的外部;以及

第二校正部,包括配置于该第一校正部的前后方向的外部的永久磁铁,

所述第一校正部通过使所述磁铁主体部从磁铁部的前后端部向前后方向的内部分离,从而调节所述特定位置处的由磁铁主体部产生的磁场的磁场梯度,

所述第二校正部通过将除了第二校正部之外的磁铁部产生的磁铁部的前后端部处的磁场抵消,从而调节所述特定位置处的磁场梯度。

3.根据权利要求2所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述特定位置通过使由除了第二校正部之外的磁铁部产生的磁场的波峰与由第二校正部产生的磁场的波峰一致而形成。

4.根据权利要求2所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述特定位置为所期望的磁场强度大致为0的磁场零点,该磁场零点通过使由除了第二校正部之外的磁铁部产生的磁场的正负一方的波峰与由第二校正部产生的磁场的正负另一方的波峰一致而形成。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述第二校正部的前后长度比所述第一校正部的前后长度短。

6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述第一校正部为内径比所述磁铁主体部的内径大的圆筒形状的永久磁铁,所述第二校正部形成为内径比所述第一校正部的内径小的圆筒形状,从而在所述校正部的内部形成中空部。

7.根据权利要求1~6中的任意一项所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述特定位置处的所期望的磁场强度为根据与磁传感器的温度变化相伴的检测值的变化量而设定的磁场强度。

8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述磁传感器配置于所述磁铁部的前端部,并检测由磁铁部磁化后的磁体的磁性。

9.根据权利要求1~7中的任意一项所述的磁体检测装置,其特征在于,

所述磁传感器为配置于所述磁铁部的后端部且检测地磁的地磁传感器。

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