[发明专利]框架一体型掩模的制造方法在审
申请号: | 201980046545.7 | 申请日: | 2019-07-02 |
公开(公告)号: | CN112514104A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李炳一 | 申请(专利权)人: | 悟勞茂材料公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;H01L21/033 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 框架 体型 制造 方法 | ||
1.一种框架一体型掩模的制造方法,所述框架一体型掩模由至少一个掩模与用于支撑掩模的框架形成为一体,该方法包括以下步骤:
(a)提供具有至少一个掩模单元区域的框架;
(b)将包括框架的工艺区域的温度提升至第一温度;
(c)将掩模对应至框架的掩模单元区域;
(d)将包括框架的工艺区域的温度降低至第二温度;
(e)将掩模边缘的至少一部分粘合到框架;以及
(f)将包括框架的工艺区域的温度降低至第三温度。
2.一种框架一体型掩模的制造方法,所述框架一体型掩模由至少一个掩模与用于支撑掩模的框架形成为一体,其中,包括以下步骤:
(a)提供具有至少一个掩模单元区域的框架;
(b)将掩模的温度提升至第一温度;
(c)将掩模对应至框架的掩模单元区域;
(d)将掩模的温度降低至第二温度;
(e)将掩模边缘的至少一部分粘合到框架;以及
(f)将包括框架的工艺区域的温度降低至第三温度。
3.如权利要求2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在步骤(d)中,将包括框架的工艺区域的温度维持在第二温度,使进入包括框架的工艺区域的掩模的温度从第一温度降低至第二温度。
4.如权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
第一温度是高于或者等于OLED像素沉积工艺温度的温度,
第二温度是比第一温度低3℃至10℃的温度,
第三温度是至少低于第二温度的温度。
5.如权利要求4所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
第一温度是45℃至60℃之间的某一温度,
第二温度是比第一温度低3℃至10℃的温度,
第三温度是低于第二温度且20℃至30℃之间的某一温度,
OLED像素沉积工艺温度为25℃至45℃之间的某一温度。
6.如权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
当掩模与掩模单元区域对应时,不对掩模进行拉伸。
7.如权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在步骤(d)中,将工艺区域的温度降低至第二温度,使与框架对应的掩模在收缩预定程度的状态下进行对准。
8.如权利要求7所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在步骤(e)中,在掩模因收缩预定程度而受到张力从而被平坦地展开的状态下,向掩模的焊接部照射激光,以将掩模粘合到框架上。
9.如权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在步骤(f)中,当将工艺区域的温度降低至第三温度时,粘合在框架上的掩模发生收缩从而被施加张力。
10.如权利要求1或2所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在步骤(c)之前,将掩模附着到托盘,并且将托盘装载到框架,从而将掩模对应至框架的掩模单元区域。
11.如权利要求10所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
在与掩模的焊接部对应的托盘部分上形成有激光通过孔。
12.如权利要求10所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
托盘为平板状,并包括与掩模接触的一面的表面粗糙度Ra为100nm以下且超过0的材料。
13.如权利要求12所述的框架一体型掩模的制造方法,其中,
托盘的材料包括晶圆、玻璃、二氧化硅、耐热玻璃、石英、氧化铝中的任意一个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于悟勞茂材料公司,未经悟勞茂材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980046545.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于提供音频和视频效果的技术
- 下一篇:用于治疗乙型肝炎感染的方法和组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择