[发明专利]电子激励原子层蚀刻

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，该方法包含：

对所述衬底上的材料的一或更多个表面层进行改性；以及

使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于电子源，从而在没有使用等离子体的情况下移除所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露还包含使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层中的全部同时暴露于所述电子源。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述暴露还包含使经改性的所述一或更多个表面层的第一部分暴露于所述电子源。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，仅使经改性的所述一或更多个表面层的所述第一部分暴露于所述电子源，而不使经改性的所述一或更多个表面层的第二部分暴露于所述电子源。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述暴露还包含：在所述第一部分的所述暴露后，使经改性的所述一或更多个表面层的第二部分暴露于所述电子源。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述暴露还包含：

使经改性的所述一或更多个表面层的所述第一部分暴露于在第一波束能量水平下的所述电子源，以及

使经改性的所述一或更多个表面层的所述第二部分暴露于在第二波束能量水平下的所述电子源。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述暴露还包含：

使经改性的所述一或更多个表面层的所述第一部分暴露于所述电子源达第一时段，以及

使经改性的所述一或更多个表面层的所述第二部分暴露于所述电子源持续第二时段。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其还包含：

在所述暴露之后，将所述衬底上的电荷中和。

9.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中所述暴露还包含：使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于在足以使经改性的所述一或更多个表面层从所述衬底各向异性地移除的波束能量水平下的所述电子源。

10.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中所述暴露还包含：使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于在足以使经改性的所述一或更多个表面层从所述衬底各向同性地移除的波束能量水平下的所述电子源。

11.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中所述暴露还包含：使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于在足以使经改性的所述一或更多个表面层从所述衬底部分地各向异性移除的波束能量水平下的所述电子源。

12.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其还包含：

在所述改性步骤之前或期间，使第一处理气体流至所述衬底上，其中所述第一处理气体被配置成对所述衬底上的材料的所述一或更多个表面层进行改性。

13.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中所述改性还包含：使所述衬底上的材料的所述一或更多个表面层暴露于等离子体。

14.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其还包含：在所述衬底保持在处理室中时，重复进行下列步骤：对所述衬底上的材料的一或更多个表面层进行改性；以及使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于所述电子源。

15.根据权利要求14所述的方法，其还包含：

在改性与暴露操作之间清扫所述处理室。

16.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中所述材料具有低于约4.5电子伏特(eV)的表面结合能。