[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201980047206.0 | 申请日: | 2019-07-16 |
公开(公告)号: | CN112424938A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 佐藤友亮 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 房岭梅;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,包括:
多个摄像元件块,其分别由多个摄像元件构成,其中,
每个摄像元件包括:
第一电极;
电荷累积电极,其与所述第一电极间隔开地设置;
光电转换部,其与所述第一电极接触并隔着绝缘层形成在所述电荷累积电极上方;以及
第二电极,其形成在所述光电转换部上,
所述第一电极和所述电荷累积电极设置在层间绝缘层上,并且
所述第一电极连接到设置在所述层间绝缘层中的连接部。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述摄像元件块由沿着第一方向的P个摄像元件和沿着与所述第一方向不同的第二方向的Q个摄像元件的P×Q个(其中,P≥2且Q≥1)摄像元件构成。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
满足P=2且Q=1,并且
分别构成沿着所述第一方向的两个摄像元件的第一电极连接到设置在所述层间绝缘层中的所述连接部。
4.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,所述摄像元件块被连续的隔离电极围绕。
5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其中,从所述隔离电极沿着所述第二方向延伸的连续的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的所述两个摄像元件之间。
6.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其中,沿着所述第二方向延伸的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的所述两个摄像元件之间。
7.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
满足P=2,且Q是等于或大于2的自然数,并且
分别构成沿着所述第一方向的两个摄像元件的第一电极连接到设置在所述层间绝缘层中的所述连接部。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,所述摄像元件块被连续的隔离电极围绕。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,从所述隔离电极沿着所述第二方向延伸的连续的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的所述两个摄像元件之间。
10.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其中,沿着所述第二方向延伸的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的所述两个摄像元件之间。
11.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
满足P=2且Q=2,
构成沿着所述第二方向的两个摄像元件的第一电极被共享,并且
所述共享的第一电极连接到设置在所述层间绝缘层中的所述连接部。
12.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其中,
满足P=2且Q=2,
构成沿着所述第一方向的两个摄像元件的第一电极被共享,并且
共享的所述第一电极连接到设置在所述层间绝缘层中的连接部。
13.根据权利要求11或12所述的固体摄像装置,其中,所述摄像元件块被连续的隔离电极围绕。
14.根据权利要求13所述的固体摄像装置,其中,从所述隔离电极沿着所述第二方向延伸的连续的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的所述两个摄像元件之间。
15.根据权利要求11所述的固体摄像装置,其中,沿着所述第二方向延伸的第二隔离电极设置在沿着所述第一方向的两个摄像元件之间。
16.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,所述摄像元件相对于在构成所述摄像元件块的所述摄像元件之间沿着所述第二方向延伸的边界线线对称地设置。
17.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其中,所述隔离电极的电位具有固定值VES。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的