[发明专利]光纤的制造方法以及光纤的制造装置在审

专利信息
申请号: 201980047240.8 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN112424133A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 细川宰 申请(专利权)人: 株式会社藤仓
主分类号: C03B37/027 分类号: C03B37/027;G02B6/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;刘言
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光纤 制造 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种光纤的制造方法,其特征在于,

包括拉丝工序,在所述拉丝工序中,一边在加热炉中加热成为光纤的光纤用母材的下端部,一边进行拉丝,所述光纤具有由含有稀土类元素化合物的二氧化硅玻璃构成的芯,

就所述加热炉内的温度分布而言,在从上游侧向下游侧升温至最高温度后降温,且在比成为所述最高温度的部位更靠下游侧具有温度下降急剧变化的变化点,

所述最高温度为所述二氧化硅玻璃达到玻璃化转变点以上且所述二氧化硅玻璃为单相的温度。

2.根据权利要求1所述的光纤的制造方法,其特征在于,

所述加热炉内的温度分布被设定为,在平衡状态下分离成所述稀土类元素化合物与纯二氧化硅玻璃的组成比分别不同的多个液相的温度下,冷却速度最大。

3.根据权利要求1或2所述的光纤的制造方法,其特征在于,

将所述加热炉内的温度分布中的比所述变化点更靠上游侧的温度分布近似为下述公式(1)所示的正态分布的一部分,并且将比所述变化点更靠下游侧的温度分布近似为下述公式(2)所示的正态分布的一部分,

设定所述加热炉的温度,使得所述公式(1)所示的正态分布的方差σt与所述公式(2)所示的正态分布的方差σb之比σtb为2以上,

其中,在上述公式(1)和公式(2)中,T是所述加热炉内的任意地点的温度,A和B是常数,x是以成为所述最高温度的位置为基准点、设下游侧为正方向时的从所述基准点到所述任意地点的距离,xc是从所述基准点到成为所述变化点的位置的距离,x0是用上述公式(2)求出的T成为计算上的最高温度的位置距所述基准点的距离。

4.根据权利要求3所述的光纤的制造方法,其特征在于,

设定所述加热炉的温度,使得所述比σtb为3以上。

5.根据权利要求4所述的光纤的制造方法,其特征在于,

设定所述加热炉的温度,使得所述比σtb为8以下。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的光纤的制造方法,其特征在于,

设所述方差σt为100mm以上且300mm以下。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的光纤的制造方法,其特征在于,

设所述变化点的温度Tc与所述最高温度Tmax的比Tc/Tmax为0.5以上。

8.根据权利要求7所述的光纤的制造方法,其特征在于,

设所述比Tc/Tmax为0.7以上。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光纤的制造方法,其特征在于,

所述稀土类元素化合物中含有的稀土类元素为镱(Yb),

所述芯中的所述稀土类元素的浓度为2.0wt%以上且3.1wt%以下。

10.根据权利要求9所述的光纤的制造方法,其特征在于,

所述芯中进一步含有3.0%wt以上且5.3wt%以下的铝(Al)和1.7wt%以上且5.6wt%以下的磷(P)。

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