[发明专利]垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法

权利要求书

1.垂直功率晶体管(1)，具有半导体衬底(2)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度(w2)，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域(13)包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域(13)与源接合部导电连接。

2.根据权利要求1所述的垂直功率晶体管(1)，其特征在于，所述第一区域(13)包括第四部分区域，所述第四部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第四部分区域具有第四深度和第四宽度，其中，所述第四深度大于所述第一深度(t1)。

3.根据权利要求1或2所述的垂直功率晶体管(1)，其特征在于，在所述第一区域(13)的表面上布置具有第一掺杂的第一层(4)，其中，所述第一掺杂具有第一载流子类型，所述第一载流子类型不同于所述外延层(3)的第二掺杂的第二载流子类型。

4.根据前述权利要求中任一项所述的垂直功率晶体管(1)，其特征在于，所述第一区域(13)至少部分地填充以第二半导体材料，所述第二半导体材料具有至少1E13cm^-3的第三掺杂。

5.根据权利要求3或4所述的垂直功率晶体管(1)，其特征在于，所述第二半导体材料包括多晶硅或3C-SiC。

6.根据前述权利要求中任一项所述的垂直功率晶体管(1)，其特征在于，所述第一半导体材料包括碳化硅。

7.用于制造在半导体衬底上的垂直功率晶体管的方法(300)，其中，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层，所述方法具有以下步骤：

-借助于蚀刻产生(310)沟槽结构的第一部分区域，其中，所述沟槽结构的所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底的表面延伸到所述外延层的内部中，其中，所述沟槽结构的每个第一部分区域分别具有第一深度和第一宽度，

-使所述半导体衬底以第一倾斜角度旋转(320)，

-借助于蚀刻产生(330)所述沟槽结构的第二部分区域，其中，所述沟槽结构的所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底的表面的第一倾斜角度，其中，所述沟槽结构的每个第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度，

-使所述半导体衬底以第二倾斜角度旋转(340)，

-借助于蚀刻产生(350)所述沟槽结构的第三部分区域，其中，所述沟槽结构的所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底的表面的第二倾斜角度，其中，所述沟槽结构的每个第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，

-产生(370)所述第二部分区域和所述第三部分区域与源接合部的电连接。

8.根据权利要求7所述的方法(300)，其特征在于，借助于蚀刻产生所述沟槽结构的第四部分区域，其中，所述第四部分区域具有第四深度，所述第四深度大于所述第一深度。

9.根据权利要求7或8所述的方法(300)，其特征在于，至少在所述第一部分区域和所述第二部分区域的表面上沉积具有第一掺杂的第一层，其中，所述第一掺杂具有第一载流子类型，所述第一载流子类型不同于所述外延层的第二掺杂的第二载流子类型。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法(300)，其特征在于，所述第一部分区域和所述第二部分区域填充以第二半导体材料。