[发明专利]固态摄像元件、固态摄像装置和固态摄像元件的读取方法在审
申请号: | 201980047479.5 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN112424939A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 村田贤一;定荣正大;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;高桥新吾 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/30;H04N5/369;H04N5/378 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 装置 读取 方法 | ||
1.一种固态摄像元件,包括:
半导体基板;
第一光电转换部,其设置在所述半导体基板的上方并被构造为将光转换成电荷;和
第二光电转换部,其设置在第一光电转换部的上方并被构造为将光转换成电荷,其中
第一光电转换部和第二光电转换部均具有层叠结构,所述层叠结构包括:
上部电极,
下部电极,
夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜,和
经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极,和
第一光电转换部和第二光电转换部中的每一个的下部电极经由共用贯通电极与共用电荷累积部电气连接,所述共用贯通电极设置为第一光电转换部和第二光电转换部共用并且贯通所述半导体基板,所述共用电荷累积部在所述半导体基板内设置为第一光电转换部和第二光电转换部共用。
2.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中第一光电转换部和第二光电转换部中的每一个的下部电极经由所述共用贯通电极与共用像素晶体管电气连接,所述共用像素晶体管在所述半导体基板内设置为第一光电转换部和第二光电转换部共用。
3.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括夹在所述半导体基板和第一光电转换部之间的第一配线层,其中
第一光电转换部和第二光电转换部中的每一个的下部电极经由包括在第一配线层中的第一配线与所述共用贯通电极电气连接。
4.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中第二光电转换部的下部电极经由贯通第一光电转换部的第一贯通电极与第一光电转换部的下部电极电气连接。
5.根据权利要求4所述的固态摄像元件,还包括夹在第一光电转换部和第二光电转换部之间的第二配线层,其中
第二光电转换部的下部电极经由包括在第二配线层中的第二配线与第一贯通电极电气连接。
6.根据权利要求5所述的固态摄像元件,其中第一贯通电极从第二配线到第一光电转换部的下部电极贯通第二配线层和第一光电转换部。
7.根据权利要求2所述的固态摄像元件,还包括第三光电转换部,其设置在第二光电转换部的上方并被构造为将光转换成电荷,其中
第三光电转换部具有所述层叠结构,和
第三光电转换部的下部电极经由所述共用贯通电极与所述共用电荷累积部电气连接。
8.根据权利要求7所述的固态摄像元件,其中第三光电转换部的下部电极经由所述共用贯通电极与所述共用像素晶体管电气连接。
9.根据权利要求7所述的固态摄像元件,其中第三光电转换部的下部电极经由贯通第二光电转换部的第二贯通电极与第二光电转换部的下部电极电气连接。
10.根据权利要求9所述的固态摄像元件,还包括夹在第二光电转换部和第三光电转换部之间的第三配线层,其中
第三光电转换部的下部电极经由包括在第三配线层中的第三配线与第二贯通电极电气连接。
11.根据权利要求10所述的固态摄像元件,其中第二贯通电极从第三配线到第二光电转换部的下部电极贯通第三配线层和第二光电转换部。
12.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述层叠结构还包括传输电极,所述传输电极设置在所述下部电极和所述累积电极之间并且经由所述光电转换膜和所述绝缘膜面对所述上部电极。
13.根据权利要求1所述的固态摄像元件,其中所述光电转换膜包含有机材料。
14.根据权利要求1所述的固态摄像元件,还包括第四光电转换部,其设置在所述半导体基板内并被构造为将光转换成电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的