[发明专利]用于装饰元件的膜的制造方法

权利要求书

1.一种用于装饰元件的膜的制造方法，所述方法包括：

在膜的一个表面上沉积两个以上的岛；以及

通过使用所述岛作为掩模对所述膜进行干蚀刻来形成图案部。

2.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的宽度为10nm至1000nm，所述岛的高度为5nm至1000nm。

3.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的水平截面为800,000nm²以下。

4.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛的垂直截面为800,000nm²以下。

5.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述岛包含铟(In)。

6.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述膜上沉积两个以上的岛是在10℃至100℃的温度条件下进行的。

7.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述膜上沉积两个以上的岛使用蒸发方法或溅射方法。

8.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述溅射方法中，所述膜与溅射靶之间的最短距离(d1)为200mm以下，并且在所述溅射靶的每单位面积上施加0.1W/cm²至10W/cm²的电力条件下施加电力10秒至1000秒。

9.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述溅射方法中，所述膜与溅射靶之间的最短距离(d2)大于200mm，并且在所述溅射靶的每单位面积上施加1W/cm²至10W/cm²的电力条件下施加电力10秒至1200秒。

10.根据权利要求7所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述溅射方法使用氩气(Ar)、氦气(He)或氮气(N₂)作为溅射气体。

11.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，在所述干蚀刻中，将所述膜引入到腔室中，以5sccm至100sccm的流量供应蚀刻气体，并在0.5毫托至100毫托以下的压力条件下施加50W至1000W的电力。

12.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述干蚀刻是电容耦合等离子体(CCP)蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、电感耦合等离子体(ICP)蚀刻、电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻或微波蚀刻的方法。

13.根据权利要求1所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述膜为金属、有机材料、或无机材料。

14.根据权利要求13所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述金属为选自由钛(Ti)、锡(Sn)、铝(Al)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)和钴(Co)组成的组中的一种、两种或更多种。

15.根据权利要求13所述的用于装饰元件的膜的制造方法，其中，所述无机材料为选自由铟(In)、钛(Ti)、锡(Sn)、硅(Si)、锗(Ge)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钕(Nd)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)和银(Ag)中任一者的氮化物；其氧化物；其氮氧化物；或GaAs、AlAs、AlGaAs、GaP、InP、InAs、InGaAs、InSb、CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、ZnS、ZnO、GaN、AlGaN、InAlN、HgCdTe和石墨烯组成的组中的一种或多种。