[发明专利]在基材提高光化学反应的效率

说明书

本文公开了一种基材及其溶剂膜，该基材包括用共价连接至该基材的光不稳定基团保护的官能团，该溶剂膜覆盖该基材，其中膜的厚度小于约100μm。本文还公开了制备此类基材的方法。还公开了合成聚合物的方法、合成聚合物阵列的方法以及去除光不稳定保护基团的方法。这些方法均采用溶剂薄膜覆盖基材，其中膜的厚度小于100μm。

相关申请的交叉引用

本申请根据35 U.S.C.§119(e)要求于2018年5月29日提交的美国临时申请序列第62/677,185号的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

本文公开了一种基材及其溶剂膜，该基材包括用共价连接至该基材的光不稳定基团保护的官能团，该溶剂膜覆盖该基材，其中膜的厚度小于约100μm。本文还公开了制备此类基材的方法。还公开了合成聚合物的方法、合成聚合物阵列的方法以及去除光不稳定保护基团的方法。这些方法均采用溶剂薄膜覆盖基材，其中膜的厚度小于100μm。

背景技术

高密度DNA微阵列已广泛用于一系列基因组学应用中，包括基因突变和多态性的检测和分析(Matsuzaki H.,et al.,2004,Nature Methods,1,109-111；以及GundersonK.L.,et al.,2005Nature Genetics,37(5),549-554)；细胞遗传学(Hudgins,M.M.et al.,2010,Genetics in Medicine,12(11),742-745；Collas,P.,2010,MolecularBiotechnology,45(1),87-100；Maruyama K.,et al.,Methods Mol Biol.2014,1062,381-91,doi:10.1007/978-1-62703-580-4-20；Su A.I.,et al.,2002,Proceeding of theNational Academy of Sciences,99(7),4465-4470；以及Kosuri S.,Church,G.M.,2014,Nature Methods 2014,11(5),499)。

已经透过光刻法(Pease A.C.,et al.,1994,Proceeding of the NationalAcademy ofSciences,5022–5026；McGall G.H.,et al.J.Am.Chem.Soc.(1997)119,5081,Singh-Gasson S.,et al.,Nature Biotechnology 1999,17,974-978；以及PawloskiA.R.et al.,2007,Journal of Vacuum Science and Technology B,25(6),2537-2456)；喷墨印刷(Hughes T.R.et al.,2001,Nature Biotechnology 19:342–347,Lausted C,etal.,2004,Genome Biology 5:R58)；以及(LeProust et al.,2010,Nucleic AcidsResearch 38:2522–2540)；电化学(Liu R.H.,et al.,2006,Expert Reviews ofMolecular Diagnostics 6:253–261)；以及其他方法(Gunderson,K.L.et al.,GenomeResearch 2004.14,870-877)以商业规模在芯片基材上直接原位合成来制造DNA寡核苷酸微阵列。

使用原位合成和光刻法制造DNA微阵列提供了制造密度大于10⁷个不同序列/cm²的阵列的灵活、经济的方法。这一方法使用光脱保护基团(photoremovable protectinggroup)，诸如，MeNPOC、NNBOC、DMBOC、PYMOC、NPPOC、DEACMOC、SPh-NPPOC等，其中一些说明如下：