[发明专利]前驱物输送系统及其相关方法在审
| 申请号： | 201980048382.6 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112449679A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄祖滨;S·L·怀特;J·R·巴基;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;F·阮 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G01N15/02 | 分类号： | G01N15/02;G01N15/06;G01N21/3504;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 前驱 输送 系统 及其 相关 方法 | ||
1.一种硼烷浓度传感器，包含：
主体；
多个窗口，其中所述多个窗口中的各窗口安置在所述主体的相对端，且其中所述主体与所述多个窗口界定一单元容积；
辐射源，安置在所述单元容积之外并邻近于所述多个窗口中的第一窗口；及
第一辐射检测器，安置在所述单元容积之外并邻近于所述多个窗口中的第二窗口。
2.如权利要求1所述的硼烷浓度传感器，其中所述第一窗口与所述第二窗口中的一者或两者是由MgF2、KBr、蓝宝石或前述物的组合所形成。
3.如权利要求1所述的硼烷浓度传感器，进一步包含第一滤光器，所述第一滤光器插入在所述第一辐射检测器与所述第二窗口之间。
4.如权利要求3所述的硼烷浓度传感器，其中所述第一滤光器具有在乙硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内或在四硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长λC。
5.如权利要求3所述的硼烷浓度传感器，进一步包含第二辐射检测器与安置在所述辐射源与所述第二辐射检测器之间的第二滤光器，其中所述第一滤光器具有在乙硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长λC，而所述第二滤光器具有在四硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长。
6.一种处理基板的方法，包含：
确定取自气体导管的气体样品中的乙硼烷浓度，所述气体导管流体地耦接第一气源与处理腔室，其中确定所述乙硼烷浓度包含使用光学传感器；
通过改变来自所述第一气源的第一气体的流率、来自第二气源的第二气体的流率或所述第一气体与所述第二气体两者的流率，混合具有期望的乙硼烷浓度的硼掺杂气体；以及
将所述硼掺杂气体输送至所述处理腔室的处理容积。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述光学传感器包含：
主体；
多个窗口，其中所述多个窗口中的各窗口安置在所述主体的相对端，且其中所述主体与所述多个窗口界定一单元容积；
辐射源，安置在所述单元容积之外并邻近于所述多个窗口中的第一窗口；及
第一辐射检测器，安置在所述单元容积之外并邻近于所述多个窗口中的第二窗口。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一窗口与所述第二窗口中的一者或两者是由MgF2、KBr、蓝宝石或前述物的组合所形成。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述光学传感器进一步包含第二辐射检测器。
10.如权利要求7所述的方法，其中所述光学传感器进一步包含第一滤光器，所述第一滤光器插入在所述第一辐射检测器与所述第二窗口之间。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一滤光器具有在乙硼烷的一IR吸收峰的约+/-250nm之内或在四硼烷的一IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长λC。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述光学传感器进一步包含第二辐射检测器与安置在所述辐射源与所述第二辐射检测器之间的第二滤光器，其中所述第一滤光器具有在乙硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长λC，而所述第二滤光器具有在四硼烷的IR吸收峰的约+/-250nm之内的中央传输波长。
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