[发明专利]使用变容二极管的具有可调节高频增益的放大器

权利要求书

1.一种装置，其特征在于，包括：

差分对，用于接收差分输入信号并且在一对输出节点上响应生成放大输出信号；

可调节电容，用于调节施加至所述差分输入信号上的高频放大作用，其中，所述可调节电容包括：

与所述差分对连接的一对串联连接变容二极管，用于接收共用节点上的控制信号，以调节所述高频放大作用的频率；以及

与所述一对串联连接变容二极管并联的固定电容器，其中，所述固定电容器的电容大于所述串联连接变容二极管的电容，并且用于抵消所述串联连接变容二极管的沟道电荷密度的变化。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括与所述一对输出节点连接的隔离晶体管。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括与所述一对输出节点连接的可调节负载阻抗。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述可调节负载阻抗包括开关控制式电阻器组，其中，所述开关控制式电阻器组用于接收负载阻抗控制信号以及选择性地启用所述开关控制式电阻器组内的一个或多个电阻器。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括与所述可调节电容并联连接的源极阻抗。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述源极阻抗为可调节源极阻抗。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述可调节源极阻抗包括开关控制式电阻器组，其中，所述开关控制式电阻器组用于接收源极阻抗控制信号以及选择性地启用所述开关控制式电阻器组内的一个或多个电阻器。

8.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述源极阻抗包括经源极阻抗控制信号偏置的晶体管，其中，所述源极阻抗控制信号用于将所述晶体管选择性地设置成开路结构或短接结构。

9.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述源极阻抗包括经多个并行电路并联连接的多个晶体管，其中，每一个晶体管均由一组源极阻抗控制信号当中的相应的一个源极阻抗控制信号偏置。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述多个并行电路当中的每一个并行电路均包括可调节电容。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述多个并行电路当中的每一个并行电路内的所述可调节电容分别由相应的控制信号控制。

12.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述一组源极阻抗控制信号包括多个比特，其中，每一个比特用于完全启用或禁用所偏置的晶体管。

13.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述一组源极阻抗控制信号为用于在线性区域内偏置所述晶体管的模拟控制信号。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述模拟控制信号用于选择均衡范围。

15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，还包括用于生成所述模拟控制信号的数模转换器。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述数模转换器为电阻阶梯型数模转换器。

17.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括用于生成所述控制信号的数模转换器。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述数模转换器为金属氧化物硅阶梯型数模转换器。

19.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述数模转换器包括设置成R-2R阶梯的传输逻辑门。