[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980048435.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112544004A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 汤田洋平;绵引达郎;宫岛晋介;滝口雄贵 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/363;H01L21/365;H01L29/06;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种氧化物半导体装置，具备：
n型氧化镓层；
p型氧化物半导体层，其在所述n型氧化镓层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性；
第1电极，其与所述p型氧化物半导体层电接合；和
氧化物层，其在所述n型氧化镓层与所述p型氧化物半导体层之间配设，材料为与氧化镓不同的材料并且为与所述p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体装置，其中，还具备：
第2电极，其与所述n型氧化镓层的下表面电接合，
所述第1电极与所述n型氧化镓层的上表面也电连接。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的氧化物半导体装置，其中，相互分离的多个所述p型氧化物半导体层埋设在所述n型氧化镓层的上表面。
4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述p型氧化物半导体层的材料为包含Cu的金属氧化物。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述氧化物层的材料为以Al2O3作为主成分的氧化物。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述氧化物层的材料为包含Cu和Al的金属氧化物。
7.根据权利要求1至权利要求6中任一项所述的氧化物半导体装置，其中，所述氧化物层的膜厚为3nm以上。
8.一种氧化物半导体装置的制造方法，是权利要求1至权利要求7中任一项所述的氧化物半导体装置的制造方法，其中，所述氧化物层的形成温度为400℃以上。
9.根据权利要求1所述的氧化物半导体装置，其中，还具备：
源电极，其与所述n型氧化镓层中与所述p型氧化物半导体层邻接的部分接合；和
漏电极，其与所述n型氧化镓层的下表面接合，
所述第1电极为栅电极。
10.根据权利要求1所述的氧化物半导体装置，其中，还具备：
源电极，其与所述n型氧化镓层中与所述p型氧化物半导体层邻接的第1部分接合；和
漏电极，其与所述n型氧化镓层中在所述第1部分的相反侧与所述p型氧化物半导体层邻接的第2部分接合，
所述第1电极为在所述源电极与所述漏电极之间配设的栅电极。
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