[发明专利]错置消减算法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

存储器阵列，其包含多层级的存储器单元；

存储器控制单元，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成：

使用第一遍次编程操作起始所述存储器阵列的存储器单元的编程，其中所述第一遍次编程操作使用第一和第二电压阈值分布放置编程数据；

在所述存储器单元的字线上使用第一读取电压层级执行经编程存储器单元的第一读取操作；

在所述存储器单元的所述字线上使用第二读取电压层级执行相同经编程存储器单元的第二读取操作；

使用所述第一读取操作和第二读取操作确定具有通过所述编程放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的所述经编程存储器单元的数目；和

响应于指定阈值数目与所确定的具有放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的经编程存储器单元的数目的关系，控制第二遍次编程操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器控制单元被配置成：

响应于所确定的经编程存储器单元的数目超过指定阈值数目，暂停所述存储器单元的所述第二遍次编程；和

否则就起始第二遍次编程操作。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器控制单元被配置成将使用所述第一读取电压层级或所述第二读取电压层级中的仅一个导通的存储器单元的数目确定为具有放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的所述存储器单元的所述数目。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其包含：

第一缓冲器和第二缓冲器；

其中所述存储器控制单元被配置成：

将使用所述第一读取电压层级读取的第一数据存储于所述第一缓冲器中；

将使用所述第二读取电压层级读取的第二数据存储于所述第二缓冲器中；和

将具有所述第一和第二缓冲器中的不匹配第一数据和第二数据的存储器单元的数目确定为具有放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的所述存储器单元的所述数目。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器控制单元被配置成：

响应于所确定的经编程存储器单元的数目超过所述指定阈值数目，将所述编程数据改变为置换数据；和

使用所述置换数据起始第二遍次编程操作。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器控制单元被配置成：

将使用所述第一读取电压层级读取的第一数据传送到主机应用程序；

响应于所确定的经编程存储器单元的数目超过所述指定阈值数目，从所述主机应用程序接收置换数据；和

使用所述置换数据起始第二遍次编程操作。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中与所述第一遍次编程相比，所述第二遍次编程将更多位编程到所述存储器单元中。

8.一种对存储器阵列的多层级的存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

使用第一遍次编程操作对所述存储器阵列的存储器单元进行编程，其中所述第一遍次编程操作使用第一和第二电压阈值分布放置编程数据；

在经编程存储器单元的字线上使用第一读取电压层级来读取第一读取数据；

在经编程存储器单元的所述字线上使用第二读取电压层级来读取第二读取数据；

使用从相同的经编程存储器单元读取的所述第一读取数据和第二读取数据确定具有通过所述编程放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的经编程存储器单元的数目；和

响应于指定阈值数目与所确定的具有放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的经编程存储器单元的数目的关系，控制第二遍次编程操作。

9.根据权利要求8所述的方法，其中控制所述第二遍次编程操作包含：

响应于所确定的经编程存储器单元的数目超过指定阈值数目，暂停所述存储器单元的第二遍次编程；和

否则就执行所述第二遍次编程。